[发明专利]掩膜板及其制备方法有效
申请号: | 201810002630.0 | 申请日: | 2018-01-02 |
公开(公告)号: | CN108193191B | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 齐忠胜;李杰威;殷川;熊先江;毛波 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/04 | 分类号: | C23C16/04;C23C18/36;C09D127/18;C09D161/16;C09D181/02;C09D7/61 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜板 及其 制备 方法 | ||
1.一种掩膜板,其特征在于,包括:
掩膜板母板,所述掩膜板母板为因瓦合金;
保护层,所述保护层设置于掩膜板母板的至少一个表面上,所述保护层用于保护所述掩膜板母板和/或与所述掩膜板直接接触的衬底不受损伤,
所述保护层包括镍-磷薄膜和氟碳涂层,且基于所述镍-磷薄膜的总质量,按照质量百分比计,磷的含量为8-9%,
基于所述氟碳涂层的总质量,按照质量百分比计,所述氟碳涂层包括15~25%的聚醚醚酮、5~10%的聚苯硫醚、5~10%的MoS2,以及余量的聚四氟乙烯,
制备所述掩膜板的方法包括:
提供掩膜板母板,所述掩膜板母板为因瓦合金;
形成保护层,所述保护层设置于所述掩膜板母板的至少一个表面上,所述保护层用于保护所述掩膜板母板和/或与所述掩膜板直接接触的衬底不受损伤,
其中,所述氟碳涂层是采用喷涂的方法形成的;
所述镍-磷薄膜是将所述掩膜板母板浸入镍-磷薄膜镀液中形成的,其中,所述镍-磷薄膜镀液包括:
NiSO4·7H2O 15~20g/L;
NaH2PO2·H2O 25~30g/L;
Na3C6H5O7·2H2O 8~10g/L;及
NH4Cl 25~30g/L,
所述掩膜板母板在所述镍-磷薄膜镀液中浸泡之后,进一步包括热处理的步骤,所述热处理的温度为350-450℃。
2.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述保护层包括所述镍-磷薄膜和所述氟碳涂层,其中,所述镍-磷薄膜设置在所述掩膜板模板的至少一个表面上,所述氟碳涂层设置于所述镍-磷薄膜远离所述掩膜板母板的表面上。
3.一种制备掩膜板的方法,其特征在于,包括:
提供掩膜板母板,所述掩膜板母板为因瓦合金;
形成保护层,所述保护层设置于所述掩膜板母板的至少一个表面上,所述保护层用于保护所述掩膜板母板和/或与所述掩膜板直接接触的衬底不受损伤,
其中,所述保护层包括镍-磷薄膜和氟碳涂层,且基于所述镍-磷薄膜的总质量,按照质量百分比计,磷的含量为8-9%,
其中,所述氟碳涂层是采用喷涂的方法形成的;
所述镍-磷薄膜是将所述掩膜板母板浸入镍-磷薄膜镀液中形成的,其中,所述镍-磷薄膜镀液包括:
NiSO4·7H2O 15~20g/L;
NaH2PO2·H2O 25~30g/L;
Na3C6H5O7·2H2O 8~10g/L;及
NH4Cl 25~30g/L,
所述掩膜板母板在所述镍-磷薄膜镀液中浸泡之后,进一步包括热处理的步骤,所述热处理的温度为350-450℃。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述镍-磷薄膜镀液的温度为60-100℃,所述掩膜板母板浸入镍-磷薄膜镀液中的pH为4.5-5.5。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,将所述掩膜板母板浸入所述镍-磷薄膜镀液之前,进一步包括:
对所述掩膜板母板依次进行敏化处理和活化处理。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的