[发明专利]衬底基板及其制造装置、制备方法和显示装置

权利要求书

1.一种衬底基板，其特征在于，所述衬底基板为导电熔液和非导电熔液通过制造装置溢流成型的单层结构，所述衬底基板沿厚度方向包括导电部分和非导电部分；所述导电部分作为ADS型彩膜基板中屏蔽ITO层或者作为TN型彩膜基板中公共电极层。

2.根据权利要求1所述的衬底基板，其特征在于，所述导电部分与所述非导电部分的厚度比值范围为1:1～1:4。

3.根据权利要求1所述的衬底基板，其特征在于，所述衬底基板的厚度范围为0.4mm～1.0mm。

4.根据权利要求1-3任一项所述的衬底基板，其特征在于，所述非导电部分包括：SiO₂、Al₂O₃、B₂O₃、BaO、CaO、MgO、SnO₂、SrO和Fe₂O₃；

所述导电部分包括：SiO₂、Al₂O₃、B₂O₃、BaO、CaO、MgO、SrO、Fe₂O₃，以及氧化锌、纳米银、氧化铟和氧化锡中的一种或多种。

5.根据权利要求4所述的衬底基板，其特征在于，所述非导电部分中各材料的质量百分比为：SiO₂为60％～73％、Al₂O₃为5％～22％、B₂O₃为1％～6％、BaO为5％～15％、SrO为大于0％且不超过20％、CaO为大于0％且不超过13％、MgO为大于0％且不超过11％、SnO₂为0.005％～2％、Fe₂O₃为0.003％～0.1％；

所述导电部分中各材料的质量百分比为：SiO₂为50％～65％、Al₂O₃为4％～18％、B₂O₃为1％～5％、BaO为4％～13％、SrO为大于0％且不超过15％、CaO为大于0％且不超过10％、MgO为大于0％且不超过9％、Fe₂O₃为0.003％～0.1％、氧化锌为大于0％且不超过20％、纳米银为大于0％且不超过20％、氧化铟为大于0％且不超过20％、氧化锡为大于0％且不超过20％；其中，所述氧化锌、纳米银、氧化铟以及氧化锡的总的质量百分比为15％～30％。

6.一种如权利要求1-5中任一项所述衬底基板的制造装置，其特征在于，所述制造装置包括装置本体；所述装置本体包括第一侧壁、第二侧壁以及隔板；所述第一侧壁与所述隔板形成第一溢流槽；所述第二侧壁与所述隔板形成第二溢流槽；所述装置本体的底部设置有导流结构，所述导流结构用于将沿所述第一侧壁和第二侧壁溢流的熔液通过引导形成衬底基板；

所述第一侧壁与所述第二侧壁分别沿所述装置本体的外侧向下延伸并汇聚于所述装置本体的底部，形成导流结构；或者，

所述装置本体的底部设有开口，所述隔板伸出所述开口，形成导流结构。

7.一种利用权利要求6所述制造装置制备衬底基板的方法，其特征在于，包括：

将导电熔液输入到第一溢流槽中，非导电熔液输入到第二溢流槽中；

所述导电熔液和所述非导电熔液分别从所述第一溢流槽和所述第二溢流槽溢出，沿所述第一侧壁和所述第二侧壁流经所述导流结构，形成衬底基板带；

所述衬底基板带下落后，通过拉引制成包含导电部分和非导电部分的衬底基板。