[发明专利]非易失性存储器的感测方法以及系统

权利要求书

1.一种感测存储器单元的导电电流的方法，包括：

将连接到存储器单元的感测单元的电容器预充电到参考电压之上的电压；

通过该存储器单元的位线放电该电容器，该位线接收第一位线电流，该第一位线电流包括该存储器单元的导电电流和由噪声产生的电流，其中该电压下降到第二电压；

截止该存储器单元的导电电流使得该位线接收第二位线电流，该第二位线电流包括该由噪声产生的电流，其中所述第二电压升高到第三电压；以及

将该第三电压与该参考电压比较以测量该存储器单元的导电电流。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：

将该位线维持在预定的位线电压处；以及

由字线访问该存储器单元，

其中所述截止该导电电流包括将该字线设置到该预定的位线电压。

3.如权利要求1所述的方法，其中：

该电容器包括第一和第二端子，所述第二端子操作在比所述第一端子更高的电压电平处；以及

其中所述放电该电容器包括将该位线耦合到所述第二端子。

4.如权利要求1所述的方法，其中：

该电容器包括第一和第二端子，所述第二端子操作在比所述第一端子更高的电压电平处；以及

其中所述充电该电容器包括将该位线耦合到所述第一端子。

5.如权利要求1所述的方法，其中：

该电容器包括第一和第二端子，所述第二端子操作在比所述第一端子更高的电压电平处；以及

所述方法还包括：

在第一感测阶段期间暂时将预定的升压电压施加到所述第一端子。

6.如权利要求1所述的方法，还包括：

提供具有栅极的晶体管以及给定阈值以用作该参考电压；以及

其中所述将该第三电压与该参考电压比较包括将该第三电压施加到该栅极并且确定该晶体管是否导电。

7.如权利要求1所述的方法，其中：

该存储器单元是并行感测的一组存储器单元中的一个。

8.一种感测存储器单元的导电电流的感测电路，包括：

电容器，具有第一端子和第二端子；

位线电压钳，配置为经由输入节点将存储器单元的位线连接到该电容器的所述第一端子和所述第二端子的一个；

预充电电路，配置为预充电该电容器到参考电压以上的电压并且预充电该位线到位线电压；以及

区分晶体管，连接到该电容器的所述第二端子以测量该电容器上的电压降以确定该存储器单元的导电电流，

其中在第一感测阶段该输入节点将该位线连接到该电容器的所述第二端子，其中该电容器被放电达预定的时间段，并且

其中在第二感测阶段该输入节点将该位线连接到该电容器的所述第一端子，其中该电容器被充电达预定的时间段。

9.如权利要求8所述的感测电路，其中该预充电电路包括连接到该输入节点的第一预充电驱动器，其中所述第一预充电驱动器被配置为预充电该位线到该位线电压。

10.如权利要求9所述的感测电路，其中该预充电电路还包括连接到该电容器的所述第二端子的第二预充电驱动器，其中所述第二预充电驱动器被配置为预充电该电容器。

11.如权利要求8所述的感测电路，还包括：

第一晶体管开关，在该输入节点和该电容器的所述第一端子之间，以选择性地将该位线连接到所述第一端子；以及

第二晶体管，在该输入节点和该电容器的所述第二端子之间，以选择性地将该位线连接到所述第二端子。

12.如权利要求8所述的感测电路，其中：

该电容器的所述第二端子操作在比所述第一端子更高的电压电平处。