[发明专利]等离子体处理装置有效
申请号: | 201810004050.5 | 申请日: | 2018-01-03 |
公开(公告)号: | CN108281342B | 公开(公告)日: | 2020-01-21 |
发明(设计)人: | 上田雄大 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 载置台 外周面 载置面 加热器 供电端子 聚焦环 配线 载置 等离子体处理装置 等离子体处理 不均匀 绝缘物 晶片 内包 背面 | ||
1.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:
第一载置台,其具有用于载置作为等离子体处理的对象的被处理体的载置面和外周面,在所述载置面设置有加热器,在所述载置面的背面侧设置有供电端子,连接所述加热器与所述供电端子的配线以内包于绝缘物中的方式设置在所述外周面;和
第二载置台,其沿第一载置台的外周面设置,用于载置聚焦环,
在所述第一载置台与所述第二载置台之间设置着连接所述加热器与所述供电端子的所述配线以及内包该配线的所述绝缘物。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述第二载置台在用于载置所述聚焦环的载置面设置有加热器。
3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述第一载置台在内部形成有制冷剂流路。
4.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述第一载置台在将所述载置面分割而成的每个区域独立地设置有所述加热器,并且在背面侧设置有多个供电端子,
所述绝缘物以包围所述第一载置台的外周面的方式形成为环状,将多个所述加热器与多个所述供电端子分别连接的多个所述配线分散于外周面而被内包在所述绝缘物中。
5.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述绝缘物由比所述第一载置台的导热率低的陶瓷形成。
6.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于:
在所述绝缘物与所述外周面之间设置有规定间隔的间隙。
7.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述绝缘物通过将设置有作为所述配线发挥作用的导电部的片状的陶瓷材料层叠、烧结而形成。
8.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述绝缘物在通过喷镀绝缘性陶瓷形成的绝缘层内,通过喷镀导电性金属形成有作为所述配线发挥作用的导电层。
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