[发明专利]一种微结构的制备方法、压印模版、显示基板

说明书

本发明提供一种微结构的制备方法、压印模版、显示基板，属于微结构技术领域，其可解决现有的压印模板的制备过程操作繁琐、成本昂贵的问题。本发明的微结构的制备方法先采用激光处理将上层的第二膜层中的部分位置处的材料进行改性，然后除去其余位置的未改性的材料即可得到保留的改性的微结构。该方法制备步骤简单，成本低，适于制备压印模版，还可用于制备显示基板上的减反微结构。

技术领域

本发明属于微结构技术领域，具体涉及一种微结构的制备方法、压印模版、显示基板。

背景技术

纳米压印(Nano-imprint Lithography，NIL)技术突破了传统光刻在特征尺寸减小过程中的难题，具有分辨率高、低成本、高产率的特点，自1995年被提出以来，纳米压印已经演变出了多种压印技术，广泛应用于半导体制造、微机电系统(MicroelectromechanicalSystems，MEMS)、生物芯片、生物医学等领域。NIL技术的基本思想是通过压印模版，将压印模版的图形转移到相应的衬底上，转移的媒介通常是一层很薄的聚合物膜，通过热压或者辐照等方法使其结构硬化从而保留下转移的图形。

压印模板作为压印特征的初始载体，其直接决定了压印图形的质量。制备出满足高精度、高均匀性、高保真、长寿命的压印模板是压印技术的关键。

发明人发现现有技术中至少存在如下问题：压印模板的制备过程操作繁琐、成本昂贵，限制了NIL技术的发展。

发明内容

本发明针对现有的压印模板的制备过程操作繁琐、成本昂贵的问题，提供一种微结构的制备方法、压印模版、显示基板。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是：

一种微结构的制备方法，包括以下步骤：

对位于第一膜层上方的第二膜层的第一位置进行激光处理，以改变第二膜层中第一位置处的材料的结构性质得到改性膜层；其中，第二膜层中未进行激光处理的为第二位置；

去除改性膜层中第一位置或者第二位置处的材料，得到形成于第一膜层上的多个微结构。

优选的是，所述第一膜层与第二膜层由相同的非晶材料一体构成。

优选的是，所述相同的非晶材料包括玻璃、石英、硅、二氧化硅中的任意一种。

优选的是，所述第一膜层的材料包括玻璃、石英、硅、二氧化硅中的任意一种或几种，所述第二膜层的材料包括非晶材料氧化锌或氧化铟镓锌。

优选的是，所述改变第二膜层中第一位置处的材料的结构性质包括：

先使所述第一位置处的材料熔融或半熔融；

再使所述第一位置处熔融或半熔融的材料进行重结晶。

优选的是，所述对位于第一膜层上方的第二膜层的第一位置进行激光处理包括：采用微透镜阵列激光器进行激光处理；

所述去除改性膜层中第一位置或者第二位置的位置处的材料包括：采用刻蚀的方法去除第一位置或者第二位置处的材料。

优选的是，所述激光处理的激光能量密度的范围为0.10J/cm²-1.95J/cm²。

优选的是，所述第二膜层的厚度范围为：20nm-500μm。

优选的是，在平行于第一膜层所在面的方向上，所述微结构尺寸范围为10nm-500μm。

优选的是，所述多个微结构周期排列，微结构周期范围为50nm-500μm。

优选的是，得到形成于第一膜层上的微结构后还包括采用等离子体进行处理使得微结构变形为减反微结构的步骤。