[发明专利]电子组件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810004295.8 | 申请日： | 2018-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN109148156B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 罗在永 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/38 | 分类号： | H01G4/38;H01G4/30;H01G4/232;H01G4/12 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 孙丽妍;汪喆 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 组件 及其 制造 方法 | ||
1.一种电子组件，包括：
电容器阵列，具有布置有多个电容器的结构；
一对金属框架，设置在所述电容器阵列的侧表面上，连接到所述多个电容器的外电极，并包括形成在所述一对金属框架连接到所述外电极的位置中的渗透部分；及
镀覆构件，填充所述渗透部分并设置在所述一对金属框架的暴露于外部的暴露部分上。
2.如权利要求1所述的电子组件，其中，所述多个电容器中的每个电容器包括陶瓷主体及第一外电极和第二外电极，所述陶瓷主体包括介电层以及多个第一内电极和多个第二内电极，并且所述第一内电极和所述第二内电极与介于所述第一内电极和所述第二内电极之间的所述介电层中的每个介电层交替地设置。
3.如权利要求1所述的电子组件，其中，所述电容器阵列具有所述多个电容器堆叠成列或堆叠成行的结构。
4.如权利要求1所述的电子组件，其中，所述电容器阵列具有所述多个电容器堆叠成列和堆叠成行的结构。
5.如权利要求1所述的电子组件，其中，所述渗透部分的面积是所述外电极的与所述一对金属框架接触的面积的50％或更多。
6.如权利要求1所述的电子组件，其中，所述镀覆构件具有10μm或更大的厚度。
7.如权利要求1所述的电子组件，其中，所述一对金属框架与所述外电极直接接触。
8.如权利要求1所述的电子组件，其中，所述镀覆构件还形成在所述外电极的从所述一对金属框架暴露的部分上。
9.一种电子组件的制造方法，所述制造方法包括：
制备电容器阵列，所述电容器阵列具有布置有多个电容器的结构；
在所述电容器阵列的侧表面上设置一对金属框架，所述一对金属框架连接到所述多个电容器的外电极并包括形成在所述一对金属框架连接到所述外电极的位置中的渗透部分；及
对设置有所述一对金属框架的所述电容器阵列进行镀覆以形成镀覆构件，所述镀覆构件填充所述渗透部分并设置在所述一对金属框架的暴露于外部的暴露部分上。
10.如权利要求9所述的制造方法，其中，所述多个电容器中的每个电容器包括陶瓷主体及第一外电极和第二外电极，所述陶瓷主体包括介电层以及多个第一内电极和多个第二内电极，并且所述第一内电极和所述第二内电极与介于所述第一内电极和所述第二内电极之间的所述介电层中的每个介电层交替地设置。
11.如权利要求9所述的制造方法，其中，所述电容器阵列具有所述多个电容器堆叠成列或堆叠成行的结构。
12.如权利要求9所述的制造方法，其中，所述电容器阵列具有所述多个电容器堆叠成列和堆叠成行的结构。
13.如权利要求9所述的制造方法，其中，所述渗透部分的面积是所述外电极的与所述一对金属框架接触的面积的50％或更多。
14.如权利要求9所述的制造方法，其中，所述镀覆构件具有10μm或更大的厚度。
15.如权利要求9所述的制造方法，其中，在一对金属框架的设置中，所述一对金属框架被设置为与所述外电极直接接触。
16.如权利要求9所述的制造方法，其中，在所述电容器阵列的所述镀覆中，所述镀覆构件还形成在所述外电极的从所述一对金属框架暴露的部分上。
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