[发明专利]减轻低压化成箔波浪边的化成方法

权利要求书

1.一种减轻低压化成箔波浪边的化成方法，其特征在于：工艺路线为前处理、五级化成处理、水洗、去极化处理、水洗、一次修补化成处理、水洗、中处理、热处理、二次修补化成处理和烘干处理；

所述前处理步骤为采用γ-丁内脂和顺丁烯二酸混合水溶液进行浸渍处理，具体为将低压腐蚀箔放入0.1～30wt%γ-丁内脂和0.1～2wt%顺丁烯二酸混合水溶液，温度为40～60℃浸渍处理0.5～5min；

所述五级化成处理为将经过前处理的铝箔在3～15wt%己二酸铵和0.01～0.5wt%顺丁烯二酸溶液中，温度60～80℃，电流密度10～100mA/cm²，电压为应加电压的20%，应加电压为20～170V，阳极氧化5～10min得到一级化成箔；

将一级化成箔置于3～15wt%己二酸铵和0.01～0.5wt%顺丁烯二酸溶液中，温度60～80℃，电流密度10～100mA/cm²，电压为应加电压的40%，阳极氧化5～10min得到二级化成箔；

将二级化成箔置于3～15wt%己二酸铵和0.01～0.5wt%顺丁烯二酸溶液中，温度60～80℃，电流密度10～100mA/cm²，电压为应加电压的60%，阳极氧化5～10min得到三级化成箔；

将三级化成箔置于3～15wt%己二酸铵和0.01～0.5wt%顺丁烯二酸溶液中，温度60～80℃，电流密度10～100mA/cm²，电压为应加电压的80%，阳极氧化5～10min得到四级化成箔；

将四级化成箔置于3～15wt%己二酸铵和0.01～0.5wt%顺丁烯二酸溶液中，温度60～80℃，电流密度10～100mA/cm²，电压为应加电压的100%，阳极氧化10～30min得到五级化成箔；

所述去极化处理为将五级化成箔置于3～6wt%磷酸水溶液中，40～70℃下浸渍2～5min；

所述一次修补化成为将去极化处理后的铝箔置于0.1～0.6%磷酸二氢铵溶液中，75～90℃，100%应加电压下修补化成5～10min,得到修补化成箔；

所述中处理步骤为将一次修补化成处理后的铝箔置于具有晶粒细化作用的稀土无机盐溶液中，浓度为0.1～5wt%，温度为50～90℃，浸渍处理0.5～6min；

所述热处理为将中处理箔置于400～550℃烘箱中，处理1～3min,得到热处理箔；

所述二次修补化成为将热处理箔置于0.1～0.6%磷酸二氢铵溶液中，75～90℃，100%应加电压下修补化成5～10min。

2.根据权利要求1所述的一种减轻低压化成箔波浪边的化成方法，所述中处理稀土无机盐为：La(NO₃)₃、Sc(NO₃)₃、Ce(NO₃)₃、Pr(NO₃)₃、Nd(NO₃)₃、Eu(NO₃)₃中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的一种减轻低压化成箔波浪边的化成方法，所述前处理步骤为采用γ-丁内脂和顺丁烯二酸混合水溶液进行浸渍处理，具体为将低压腐蚀箔放入0.1～5wt%γ-丁内脂和0.1～0.2wt%顺丁烯二酸混合水溶液，所述五级化成处理的己二酸铵和顺丁烯二酸溶液浓度分别为3～7wt%和0.01～0.05wt%。

4.根据权利要求1所述的一种减轻低压化成箔波浪边的化成方法，所述前处理步骤为采用γ-丁内脂和顺丁烯二酸混合水溶液进行浸渍处理，具体为将低压腐蚀箔放入5～30wt%γ-丁内脂和0.2～2wt%顺丁烯二酸混合水溶液，所述五级化成处理的己二酸铵和顺丁烯二酸溶液浓度分别为7～15wt%和0.05～0.5wt%。