[发明专利]OLED显示器件及制备方法在审
| 申请号： | 201810005065.3 | 申请日： | 2018-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN108232031A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 何超 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第一电极 基板 像素区域 发光件 限定层 有效区 周边区 绝缘 发光 第二电极 器件制备 填充层 透明的 填充 制备 覆盖 | ||
1.一种OLED显示器件，包括：
基板，所述基板包括一第一电极，所述基板上定义有多个像素区域，每个所述像素区域定义有一发光有效区及一周边区；
绝缘限定层，形成于所述第一电极侧的所述周边区；
发光件，形成于所述第一电极侧的所述发光有效区，并与所述绝缘限定层相间隔从而形成间隙；
透明的有机填充层，填充于所述间隙内；及
第二电极，覆盖于所述发光件远离所述第一电极的一侧。
2.如权利要求1所述的OLED显示器件，其特征在于，所述绝缘限定层的材质为选自氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的至少一种。
3.如权利要求1所述的OLED显示器件，其特征在于，所述有机填充层的材质为选自聚二甲基硅氧烷或聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一种。
4.如权利要求1至3任一项所述的OLED显示器件，其特征在于，所述有机填充层的折射率小于所述绝缘限定层的折射率。
5.一种OLED显示器件的制备方法，包括步骤：
提供一基板，所述基板包括一第一电极，所述基板上定义有多个像素区域，每个所述像素区域定义有一发光有效区及一周边区；
在所述基板的所述第一电极侧的所述周边区形成一绝缘限定层；
在所述第一电极侧的所述发光有效区形成一发光件，所述发光件与所述绝缘限定层相间隔从而形成间隙；
在所述间隙内填充形成一透明的有机填充层；及
在所述发光件远离所述第一电极的一侧覆盖一第二电极，得到所述OLED显示器件。
6.如权利要求5所述的OLED显示器件的制备方法，其特征在于，通过化学气相沉积的方式形成所述绝缘限定层；或，通过涂覆、曝光及显影光阻的方式形成所述绝缘限定层。
7.如权利要求5所述的OLED显示器件的制备方法，其特征在于，通过喷墨印刷的方式形成所述有机填充层。
8.如权利要求5所述的OLED显示器件的制备方法，其特征在于，所述绝缘限定层的材质为选自氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的至少一种。
9.如权利要求5所述的OLED显示器件的制备方法，其特征在于，所述有机填充层的材质为选自聚二甲基硅氧烷或聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一种。
10.如权利要求5至9任一项所述的OLED显示器件的制备方法，其特征在于，所述有机填充层的折射率小于所述绝缘限定层的折射率。
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