[发明专利]射频谐振器电极和薄膜组合及其制造方法

权利要求书

1.一种具有铝下电极的压电薄膜的制造方法，依次包括：

在由C轴0001单晶蓝宝石膜构成的衬底上，沉积由C轴0001单晶GaN构成的释放层；

在所述释放层上方沉积缓冲层；其中，所述缓冲层的晶格间距被构造成与所述释放层的晶格间距以及与随后生长的压电薄膜的晶格间距均紧密匹配，

在所述缓冲层上生长包括111取向的Ba_xSr_(1-x)TiO₃压电薄膜；

将铝物理气相沉积在所述压电薄膜上，以形成包括铝的下电极。

2.根据权利要求1所述的方法，在所述的将铝物理气相沉积在压电晶体上，以形成包括铝的下电极的步骤后，还包括：

移除释放层和/或衬底以暴露所述压电薄膜，并且随后将上电极沉积到所述压电薄膜的新鲜暴露的表面上。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述压电薄膜包括Ba_xSr_(1-x)TiO₃单晶。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，在溅射所述下电极之前，将钛粘合层沉积到所述压电薄膜上。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，通过溅射沉积所述钛粘合层。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述Ba_xSr_(1-x)TiO₃通过氧化物分子束外延来沉积。

7.根据权利要求2所述的方法，其中，所述缓冲层为TiO₂或SrTiO₃的缓冲层或包含复合TiO₂与SrTiO₃的双缓冲层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述缓冲层通过氧化物分子束外延来沉积。

9.根据权利要求2所述的方法，其中，所述上电极也包括铝。

10.一种谐振器，包括夹裹在上电极和下电极之间的压电薄膜，其中，所述谐振器通过如权利要求1或2所述的方法制造，并且所述下电极包括铝。

11.根据权利要求10所述的谐振器，其中，所述压电薄膜包括Ba_xSr_(1-x)TiO₃单晶。

12.根据权利要求11所述的谐振器，其中，x在0.2和0.5之间，并且被控制在±1％的公差范围内。

13.根据权利要求10所述的谐振器，还包括位于所述压电薄膜与所述下电极之间的粘合层。

14.根据权利要求13所述的谐振器，其中所述粘合层包括钛。

15.根据权利要求14所述的谐振器，其中所述粘合层的厚度为5-50纳米。

16.根据权利要求10所述的谐振器，其中所述下电极厚度为100纳米±5纳米。

17.根据权利要求10所述的谐振器，其中，所述上电极也包括铝。