[发明专利]一种用于氮化镓晶体的定向切割装置与加工方法有效
申请号: | 201810005342.0 | 申请日: | 2018-01-03 |
公开(公告)号: | CN108214955B | 公开(公告)日: | 2019-08-20 |
发明(设计)人: | 陈辉;庄击勇;黄维;卓世异;王乐星;施尔畏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | B28D5/04 | 分类号: | B28D5/04;B28D5/00 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;姚佳雯 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶锭 定向切割 夹具 影像监测系统 氮化镓晶体 多线切割机 夹持 支架 切割 切割位置 图谱比对 有效控制 氮化镓 加工 支撑 | ||
1.一种用于氮化镓晶体的定向切割装置,其特征在于,包括:
夹持晶锭的夹具;
控制首片厚度的影像监测系统,
用于调节粘接误差的定向仪,以及
对所述晶锭进行切割的多线切割机,
夹持晶锭的所述夹具包括支架和支撑所述支架的基座,所述支架上开有定向孔,通过所述定向孔确定晶向偏差,
所述多线切割机具有十字微调平台;切割时调节所述多线切割机的所述十字微调平台补偿粘接过程产生的所述晶向偏差,
所述影像监测系统包括位于待切的所述晶锭的上方的监测探头、显示所述监测探头获取的监测图像的显示屏和用于固定所述监测探头的固定支架,所述影像监测系统将所述多线切割机的线间距与待切的所述晶锭的首片厚度的图谱比对以调整切割位置。
2.根据权利要求1所述的用于氮化镓晶体的定向切割装置,其特征在于,
所述支架的基准面与所述晶锭粘接,
所述晶锭与所述支架底部接触并粘合。
3.根据权利要求1或2所述的用于氮化镓晶体的定向切割装置,其特征在于,
所述支架的基准面下方开有凹槽。
4.根据权利要求1或2所述的用于氮化镓晶体的定向切割装置,其特征在于,
所述基座采用模具钢或经过锻打、调质后的铸铁进行制作。
5.根据权利要求1或2所述的用于氮化镓晶体的定向切割装置,其特征在于,
所述支架被所述基座支撑的部分加工成梯形,所述基座上开梯形槽,且所述基座的梯形槽口比所述支架的梯形略小,所述基座与所述支架粘接。
6.根据权利要求1或2所述的用于氮化镓晶体的定向切割装置,其特征在于,
所述影像监测系统与电脑连接,将监测图像输入电脑后进行数据比对控制首片厚度。
7.一种采用权利要求1至6中任意一项所述的用于氮化镓晶体的定向切割装置的加工方法,包括如下步骤:
在待切的氮化镓晶体的基准面进行定向、研磨,修正至所需晶向;
将晶锭的基准面与支架基准面贴合,晶锭与支架底部接触并粘合;
将粘好晶锭的支架,通过定向孔进行定向,确定粘接后是否存在晶向偏差;
将粘好晶锭的支架与基座进行粘接;
将粘好晶锭的基座置于切割机加工平台上;
调节切割机的微调平台,补偿晶锭的粘接误差;
打开影像监测系统,进行数据比对,调整首片的切割位置后锁死;
进行晶锭切割。
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