[发明专利]一种像素内存储单元、像素阵列及显示装置

权利要求书

1.一种像素内存储单元，其特征在于，包括：第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元、液晶电容以及储能单元；所述第一开关单元的控制端与栅极信号端连接，所述第一开关单元的输入端与数据信号端连接，所述第一开关单元的输出端与第二开关单元的控制端、第三开关单元的控制端、储能单元的第一端连接；所述第二开关单元的输入端与第一电源电压端连接；所述第二开关单元的输出端和第三开关单元的输出端均与液晶电容的第一端连接；所述第三开关单元的输入端、液晶电容的第二端以及储能单元的第二端均与第二电源电压端连接；

充电补偿单元和放电补偿单元；所述充电补偿单元的控制端和输出端均与所述第一开关单元的输出端连接；所述充电补偿单元的输入端与第一电源电压端连接；

所述放电补偿单元的控制端和输出端均与所述第一开关单元的输出端连接；所述放电补偿单元的输入端与第三电源电压端连接。

2.根据权利要求1所述的像素内存储单元，其特征在于，所述充电补偿单元为第四薄膜晶体管；所述第四薄膜晶体管的栅极和所述第四薄膜晶体管的第二极均与所述第一开关单元的输出端连接；所述第四薄膜晶体管的第一极与第一电源电压端连接；其中，所述第四薄膜晶体管为NMOS晶体管；所述第四薄膜晶体管的第一极为源极或漏极，所述第四薄膜晶体管的第二极为与第一极对应的漏极或源极；

所述放电补偿单元为第五薄膜晶体管；所述第五薄膜晶体管的栅极和所述第五薄膜晶体管的第二极均与所述第一开关单元的输出端连接；所述第五薄膜晶体管的第一极与第三电源电压端连接；其中，所述第五薄膜晶体管为PMOS晶体管；所述第五薄膜晶体管的第一极为源极或漏极，所述第五薄膜晶体管的第二极为与第一极对应的漏极或源极。

3.根据权利要求1所述的像素内存储单元，其特征在于，所述第一电源电压端输出高电平；所述第三电源电压端输出低电平。

4.根据权利要求1-3任一项所述的像素内存储单元，其特征在于，所述第一开关单元为第一薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管的栅极与栅极信号端连接；所述第一薄膜晶体管的第一极与数据信号端连接；所述第一薄膜晶体管的第二极与第二开关单元的控制端、第三开关单元的控制端、储能单元的第一端连接；

其中，所述第一薄膜晶体管的第一极为源极或漏极，所述第一薄膜晶体管的第二极为与第一极对应的漏极或源极。

5.根据权利要求1-3任一项所述的像素内存储单元，其特征在于，所述第二开关单元为第二薄膜晶体管；所述第二薄膜晶体管的栅极与第一开关单元的输出端连接；所述第二薄膜晶体管的第一极与第一电源电压端连接；所述第二薄膜晶体管的第二极与液晶电容的第一端连接；

其中，所述第二薄膜晶体管为NMOS晶体管；所述第二薄膜晶体管的第一极为源极或漏极，所述第二薄膜晶体管的第二极为与第一极对应的漏极或源极；

所述第三开关单元为第三薄膜晶体管；所述第三薄膜晶体管的栅极与第一开关单元的输出端连接；所述第三薄膜晶体管的第一极与第二电源电压端连接；所述第三薄膜晶体管的第二极与液晶电容的第一端连接；

其中，所述第三薄膜晶体管为PMOS晶体管；所述第三薄膜晶体管的第一极为源极或漏极，所述第三薄膜晶体管的第二极为与第一极对应的漏极或源极。

6.根据权利要求1-3任一项所述的像素内存储单元，其特征在于，所述储能单元为储能电容；所述储能电容的第一端与第一开关单元的输出端连接；所述储能电容的第二端与第二电源电压端连接。

7.根据权利要求1-3任一项所述的像素内存储单元，其特征在于，所述像素内存储单元还包括存储电容；所述存储电容与所述液晶电容并联连接。

8.一种像素阵列，其特征在于，所述像素阵列包括权利要求1-7任一项所述的像素内存储单元。

9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求8所述的像素阵列。