[发明专利]变频器的IGBT驱动电路

权利要求书

1.一种变频器的IGBT驱动电路，其特征在于：包括一级电压转换电路(2)、信号控制电路(3)、二级电压转换电路(4)和光耦触发电路(5)，所述一级电压转换电路(2)的输入端与PN直流电源(1)相连接用于将PN直流电源(1)压转换为直流工作电压，一级电压转换电路(2)的输出端分别与控制信号电路(3)的输入端和二级电压转换电路(4)相连接，所述控制信号电路(3)的输出端与二级电压转换电路(4)的输入端相连接用于交替输出高低互补的高低电平信号，所述二级电压转换电路(4)的输出端与光耦触发电路(5)相连接用于根据高低电平信号将直流工作电压转化为交替电压信号，所述光耦触发电路(5)的输出端与变频器的IGBT模块(6)相连接。

2.根据权利要求1所述的变频器的IGBT驱动电路，其特征在于：所述的二级电压转换电路(4)包括抽头变压器TR1和抽头变压器TR2，所述抽头变压器TR1的一次绕组和抽头变压器TR2的一次绕组分别与信号控制电路(3)相连接使得抽头变压器TR1和抽头变压器TR2并联设置，抽头变压器TR1的二次绕组和抽头变压器TR2的二次绕组分别与光耦触发电路(5)相连接。

3.根据权利要求2所述的变频器的IGBT驱动电路，其特征在于：所述的二级电压转换电路(4)还包括桥式整流二极管ZL1、桥式整流二极管ZL2、桥式整流二极管ZL3、桥式整流二极管ZL4、极性电容E2、极性电容E3、极性电容E4、极性电容E5，所述抽头变压器TR1包括串联设置的绕组T2和绕组T3，所述绕组T2的一次绕组的两端分别与MOS管Q1的漏极和直流工作电压相连接，所述绕组T3的一次绕组的两端分别与MOS管Q4的漏极和直流工作电压相连接，绕组T2的二次绕组与桥式整流二极管ZL1的输入端相连接，所述桥式整流二极管ZL1的输出端分别为VPGND端和负VP端，绕组T3的二次绕组与桥式整流二极管ZL2的输入端相连接，所述桥式整流二极管ZL2的输出端分别为VPGND端和正VP端，并且桥式整流二极管ZL2的VPGND端与桥式整流二极管ZL1的VPGND端相连接，所述极性电容E2的正极和负极分别与桥式整流二极管ZL1的VPGND端和负VP端相连接，所述极性电容E3的正极和负极分别与桥式整流二极管ZL2的正VP端和VPGND端相连接；

所述抽头变压器TR2的结构与抽头变压器TR1的结构相同。

4.根据权利要求1所述的变频器的IGBT驱动电路，其特征在于：所述的信号控制电路(3)包括芯片U1、MOS管Q1和MOS管Q4，所述的芯片U1分别与一级电压转换电路(2)和MOS管Q1以及MOS管Q4相连接。

5.根据权利要求4所述的变频器的IGBT驱动电路，其特征在于：所述芯片U1的第一引脚分别与电阻R3和电阻R6的一端相连接，所述电阻R3的另一端与一级电压转换电路(2)的变压器T1的二次绕组相连接并通直流工作电压，所述电阻R6的另一端接地，芯片U1的第二引脚通过电阻R1与芯片U1的第十六引脚相连接，芯片U1的第六引脚与电阻R8串联后接地，芯片U1的第七引脚串联电阻R10后与芯片U1的第五引脚并联，芯片U1的第七引脚芯片U1的第五引脚并联后与电容C4的一端相连接，所述电容C4的另一端接地，芯片U1的第八引脚与电容C5串联后接地，芯片U1的第九引脚与电容C6串联后接地，芯片U1的第十引脚接地，芯片U1的第十一引脚串联电阻R11后与MOS管Q4的栅极相连接，芯片U1的第十二引脚接地，芯片U1的第十三引脚与一级电压转换电路(2)的变压器T1的二次绕组相连接并通直流工作电压，并且在芯片U1的第十二引脚与芯片U1的第十三引脚之间并联有电容C2，芯片U1的第十四引脚串联电阻R4后与MOS管Q1的栅极相连接，芯片U1的第十五引脚与一级电压转换电路(2)的变压器T1的二次绕组相连接并通直流工作电压，所述MOS管Q1的源极接地，MOS管Q1的漏极与二级电压转换电路(4)相连接，所述MOS管Q4的源极接地，MOS管Q4的漏极与二级电压转换电路(4)相连接，并且在MOS管Q1的漏极与MOS管Q4的漏极之间串联有电容C3和电阻R7。