[发明专利]一种提高n型GaSb基半导体激光器材料掺杂浓度的方法有效
| 申请号： | 201810006341.8 | 申请日： | 2018-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN108183391B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 魏志鹏;贾慧民;唐吉龙;牛守柱;王登魁;王新伟;冯源;王晓华;马晓辉 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单原子分子 掺杂源 掺杂 高温裂解装置 半导体激光器 多聚体形式 多聚体 裂解 针阀 载流子 半导体激光器器件 材料掺杂 材料内部 材料外延 分子束流 裂解装置 质量差 波段 制作 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高n型GaSb基半导体激光器材料掺杂浓度的方法，其特征在于，该方法利用一种高温热裂解装置产生单原子分子形式Te掺杂源分子束流，所述高温热裂解装置与掺杂源源炉结合组成掺杂源分子束流产生装置，在所述高温热裂解装置上设计有针阀，通过调节所述针阀可以控制从掺杂源源炉喷射到高温热裂解装置中掺杂源分子束束流的强度，实现在高温热裂解装置中将从掺杂源源炉中喷射过来的多聚体Te掺杂源充分裂解为单原子分子形式的Te掺杂源，获得用于外延生长n型GaSb基半导体激光器材料所用的单原子分子形式的Te分子束流，在进行掺杂材料外延生长之前首先将Te掺杂源裂解装置上的针阀打开3～5秒使多聚体形式的Te源能够充分裂解为单原子分子形式的Te分子束流，然后打开各个源炉挡板进行n型GaSb基半导体激光器材料的外延生长。
2.如权利要求1所述的一种提高n型GaSb基半导体激光器材料掺杂浓度的方法，其特征在于，单原子分子形式的Te掺杂源在高温热裂解装置产生，所述高温热裂解装置对Te源的裂解温度为300℃～600℃。
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