[发明专利]数据储存装置及非挥发式存储器操作方法有效
申请号: | 201810007157.5 | 申请日: | 2018-01-04 |
公开(公告)号: | CN109147849B | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 洪英峻 | 申请(专利权)人: | 慧荣科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数据 储存 装置 发式 存储器 操作方法 | ||
1.一种数据储存装置,包括:
一非挥发式存储器;以及
一微控制器,配置该非挥发式存储器储存一主机要求的写入数据;
其中:
根据一第一写入模式累积的写入数据量以及一第二写入模式累积的写入数据量,该微控制器穿插以该第一写入模式以及该第二写入模式配置该非挥发式存储器储存该主机要求的写入数据;
一存储单元于该第一写入模式下储存的位元数少于该第二写入模式;
该微控制器是在该第一写入模式累积的写入数据量超越一动态临界标准时,自该第一写入模式切换至该第二写入模式配置该非挥发式存储器储存该主机要求的写入数据;且
该动态临界标准是随着该第二写入模式累积的写入数据量变动。
2.如权利要求1所述的数据储存装置,其特征在于:
该微控制器于一判断式成立时,自该第一写入模式切换至该第二写入模式配置该非挥发式存储器储存该主机要求的写入数据;
该判断式为(WCnt#2+N)/MWCnt#1;
WCnt#1为该第一写入模式累积的写入数据量;
WCnt#2为该第二写入模式累积的写入数据量;且
N以及M为数值,使(WCnt#2+N)/M为上述动态临界标准。
3.如权利要求2所述的数据储存装置,其特征在于:
N以及M相关于该数据储存装置的保固需求。
4.如权利要求3所述的数据储存装置,其特征在于:
该非挥发式存储器为快闪存储器;且
N以及M更相关于该快闪存储器的区块总数、以及各区块的尺寸与抹除次数上限。
5.如权利要求1所述的数据储存装置,其特征在于:
该微控制器是在该非挥发式存储器的可配置空间大于一第一写入模式启动临界时,以该第一写入模式配置该非挥发式存储器储存该主机要求的写入数据。
6.如权利要求5所述的数据储存装置,其特征在于:
该微控制器在该非挥发式存储器的可配置空间不大于该第一写入模式启动临界时,是以该第二写入模式配置该非挥发式存储器储存该主机要求的写入数据。
7.如权利要求1所述的数据储存装置,其特征在于:
该非挥发式存储器为快闪存储器;且
该第一写入模式为单阶存储单元写入模式,使所配置的区块的各存储单元储存一位元的数据;且
该第二写入模式使所配置的区块的各存储单元储存多于一位元的数据。
8.如权利要求7所述的数据储存装置,其特征在于:
该第二写入模式为三阶存储单元写入模式,使所配置的区块的各存储单元储存三位元的数据。
9.如权利要求8所述的数据储存装置,其特征在于:
该微控制器于该主机不存取该快闪存储器时,将单阶存储单元储存的数据搬移到采三阶存储单元进行储存的区块。
10.一种非挥发式存储器操作方法,包括:
配置一非挥发式存储器储存一主机要求的写入数据;
根据一第一写入模式累积的写入数据量以及一第二写入模式累积的写入数据量,穿插以该第一写入模式以及该第二写入模式配置该非挥发式存储器储存该主机要求的写入数据;
其中,一存储单元于该第一写入模式下储存的位元数少于该第二写入模式;以及
在该第一写入模式累积的写入数据量超越一动态临界标准时,自该第一写入模式切换至该第二写入模式配置该非挥发式存储器储存该主机要求的写入数据;其中,该动态临界标准是随着该第二写入模式累积的写入数据量变动。
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