[发明专利]一种变流器控制方法和控制装置

说明书

本申请公开了一种变流器控制方法和控制装置，所述变流器包括两个拓扑结构相同的变换单元，两个变换单元的直流侧并联接入直流源、交流侧并联接入交流滤波器，而且两个变换单元的直流母线中点直接相连；所述变流器还包括串联在至少一个变换单元的桥臂中点与所述交流滤波器之间的电感器。所述变流器控制方法包括：获取变流器内部温度值；判断变流器内部温度值是否低于第一设定值；如果变流器内部温度值低于第一设定值，对两个变换单元中开关管的通断进行控制，使得电流从所述直流源的正极流出，经过变流器中的若干个开关管和电感器回到负极，并且电流大小不超过限值，从而避免了变流器的功率半导体器件在变流器低温启动时因电压应力过大而失效损坏。

技术领域

本发明涉及电力电子技术领域，更具体地说，涉及一种变流器控制方法和控制装置。

背景技术

变流器通常使用的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管)或MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)等功率半导体器件在其他条件不变的情况下，温度越低，其电压应力越大。所以，当变流器在低温条件下启动时，变流器的功率半导体器件有因为电压应力过大而失效损坏的风险。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种变流器控制方法和控制装置，以避免变流器的功率半导体器件在变流器低温启动时因电压应力过大而失效损坏。

一种变流器控制方法，所述变流器包括两个拓扑结构相同的变换单元，两个变换单元的直流侧并联接入直流源、交流侧并联接入交流滤波器，而且两个变换单元的直流母线中点直接相连；所述变流器还包括串联在至少一个变换单元的桥臂中点与所述交流滤波器之间的电感器；

所述变流器控制方法包括：

获取变流器内部温度值；

判断变流器内部温度值是否低于第一设定值；

如果变流器内部温度值低于第一设定值，对两个变换单元中开关管的通断进行控制，使得电流从所述直流源的正极流出，经过所述变流器中的若干个开关管和电感器回到负极，并且电流大小不超过限值。

可选的，所述对两个变换单元中开关管的通断进行控制，包括：保持一个变换单元输出0电平，同时对另一变换单元进行脉宽调制。

可选的，所述对两个变换单元中开关管的通断进行控制，包括：保持一个变换单元输出0电平，同时对另一变换单元进行脉宽调制；并且，周期性交换两个变换单元的工作状态。

可选的，所述对两个变换单元中开关管的通断进行控制，包括：按照一定频率导通一个变换单元的一相上半桥以及另一变换单元的同一相下半桥。

可选的，所述对两个变换单元中开关管的通断进行控制，包括：按照一定频率导通一个变换单元的一相上半桥以及另一变换单元的同一相下半桥；并且，周期性换相。

可选的，所述对两个变换单元中开关管的通断进行控制之前，还包括：判断得到所述直流源的输出电压低于第二设定值。

一种变流器控制装置，所述变流器包括两个拓扑结构相同的变换单元，两个变换单元的直流侧并联接入直流源、交流侧并联接入交流滤波器，而且两个变换单元的直流母线中点直接相连；所述变流器还包括串联在至少一个变换单元的桥臂中点与所述交流滤波器之间的电感器；

所述变流器控制装置包括：

获取单元，用于获取变流器内部温度值；

判断单元，用于判断变流器内部温度值是否低于第一设定值；