[发明专利]半导体封装装置及制造半导体封装装置的方法

说明书

本发明公开一种半导体装置封装，其包含衬底、封装主体、导电层、介电层、磁性层、第一绝缘层及线圈。所述封装主体安置在所述衬底上。所述封装主体具有第一部分及安置在所述第一部分上面的第二部分。所述导电层安置在所述封装主体的所述第一部分上且电连接到所述衬底。所述介电层安置在所述导电层上。所述磁性层安置在所述介电层上。所述第一绝缘层安置在所述磁性层上。所述线圈安置在所述第一绝缘层上。所述线圈具有与所述磁性层电连接的第一端子。

技术领域

本公开涉及一种半导体封装装置以及用于制造半导体封装装置的方法，且更特定来说，涉及一种包含嵌入其中的天线的半导体封装装置及一种制造所述半导体封装装置的方法。

背景技术

近场通信(NFC)为短距离高频无线通信技术且包含无接触射频识别(RFID)及互连技术。

NFC技术可应用于例如信用卡、识别(ID)卡及智能手机或无线充电器等产品。可能期望改进通信质量且减少NFC装置的总封装大小。

发明内容

在第一方面中，根据本公开的一些实施例，半导体装置封装包含衬底、封装主体、导电层、介电层、磁性层、第一绝缘层及线圈。所述封装主体安置在所述衬底上。所述封装主体具有第一部分及安置在所述第一部分上面的第二部分。所述导电层安置在所述封装主体的所述第一部分上且电连接到所述衬底。所述介电层安置在所述导电层上。所述磁性层安置在所述介电层上。所述第一绝缘层安置在所述磁性层上。所述线圈安置在所述第一绝缘层上。所述线圈具有与所述磁性层电连接的第一端子。

在另一方面中，根据本公开的一些实施例，半导体装置封装包含衬底、封装主体、第一导电层、介电层、第二导电层、磁性层及线圈。所述封装主体安置在所述衬底上。所述封装主体具有第一部分及在所述第一部分上面的第二部分。所述第一导电层安置在所述封装主体的所述第一部分上且电连接到所述衬底。所述介电层安置在所述第一导电层上。所述第二导电层安置在所述介电层上。所述磁性层安置在所述导电层上方。所述线圈安置在磁性层上方。所述线圈具有与所述第二导电层电连接的第一端子。

在另一方面中，根据本公开的一些实施例，磁共振无线充电模块包含衬底、金属绝缘体金属(MIM)电容器、磁性层及线圈。所述MIM电容器安置在所述衬底上方。所述MIM电容器包含与所述衬底电连接的第一端子。所述磁性层安置在所述MIM电容器上。所述线圈安置在磁性层上方。所述线圈具有与所述MIM电容器的第二端子电连接的第一端子。

附图说明

图1说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置的横截面图。

图2A说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置的横截面图。

图2B说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置的横截面图。

图3说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置的横截面图。

图4A、图4B及图4C说明根据本公开的一些实施例的半导体制造方法。

图5A、图5B、图5C、图5D及图5E说明根据本公开的一些实施例的半导体制造方法。

图6A说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置的俯视图。

图6B说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置的俯视图。

图6C说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置的俯视图。

贯穿图式及详细描述使用共用参考编号来指示相同或类似组件。本公开从结合附图进行的以下详细描述将更显而易见。

具体实施方式