[发明专利]滤波器封装元件

权利要求书

1.滤波器封装元件，包括：

一组压电薄膜，其包括一系列混合单晶，每个混合单晶包括夹裹在一系列下电极和一系列上电极之间的掺杂氮化铝，其中上电极包括金属层以及在金属层上方的硅膜，硅膜上方具有腔体；

其中，一系列下电极连接至一转接板，一系列下电极和转接板之间具有第一腔体；

其中，一系列硅膜具有既定的厚度，与一系列上层腔体一起结合在一系列上电极上方，每个上层腔体都位于该一系列硅膜的其中一个硅膜与共同硅盖之间，并与位列其下方的硅膜、上电极、压电薄膜居中对齐，所述上层腔体四周为包括二氧化硅的侧壁；

其中，各个压电薄膜、其上电极以及上方的硅膜通过绝缘材料与相邻的压电薄膜、上电极以及硅膜分隔开来。

2.根据权利要求1所述的滤波器封装元件，其中所述混合单晶是Al_xGa_(1-x)N或Sc_xAl_(1-x)N。

3.根据权利要求1所述的滤波器封装元件，其中所述混合单晶是Sc_xAl_(1-x)N，其中x≤0.25。

4.根据权利要求1所述的滤波器封装元件，其中所述混合单晶是Sc_xAl_(1-x)N，其中0.05≤x≤0.13。

5.根据权利要求3所述的滤波器封装元件，其中每个Sc_xAl_(1-x)N的压电薄膜包括具有C轴取向的单晶体。

6.根据权利要求3所述的滤波器封装元件，其中所述压电薄膜的均方根(RMS)表面粗糙度小于1nm，摇摆曲线半高宽FWHM值小于500弧秒。

7.根据权利要求3所述的滤波器封装元件，其中所述压电薄膜的厚度最厚为2微米。

8.根据权利要求1所述的滤波器封装元件，其中所述硅膜包括取向选自111、100或110的单晶硅。

9.根据权利要求8所述的滤波器封装元件，其中硅膜为掺杂硅且其电阻率等于或小于0.005欧姆·厘米。

10.根据权利要求8所述的滤波器封装元件，其中硅膜为n掺杂硅且其掺杂物选自包括磷、锑和砷的群组。

11.根据权利要求8所述的滤波器封装元件，其中硅膜采用砷掺杂并且其厚度被修整到0.5到1.5微米，公差低至±5埃的标称范围内。

12.根据权利要求8所述的滤波器封装元件，其中所述腔体厚度是3微米，最大公差范围±5％。

13.根据权利要求1所述的滤波器封装元件，其中所述共同硅盖包括取向选自100、110和111的硅单晶体。

14.根据权利要求13所述的滤波器封装元件，其中所述共同硅盖的电阻率高于5000欧姆·厘米。

15.根据权利要求14所述的滤波器封装元件，其中所述共同硅盖晶格取向是100，公差范围±5°且厚度在20到450微米，±2.5％范围内。

16.根据权利要求1所述的滤波器封装元件，其中所述一组压电薄膜的厚度至少是所述一系列硅膜厚度的一半。

17.根据权利要求1所述的滤波器封装元件，其中所述一系列硅膜的厚度范围是0.3微米到10微米，且其通过二氧化硅被耦合至所述硅盖。

18.根据权利要求1所述的滤波器封装元件，其中所述上电极和下电极均包括至少一种选自铝、金、钨和钼的金属。