[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底表面具有第一氧化层，所述衬底包括第一区，所述第一区包括相邻的外延区和器件区；

对所述第一氧化层进行第一氮化处理，形成钝化层；

对所述外延区钝化层和衬底进行刻蚀处理，在所述钝化层和衬底中形成第一凹槽，所述第一凹槽自所述外延区钝化层贯穿至所述衬底中；

在所述第一凹槽中形成第一外延层；

在所述器件区形成器件结构，所述器件结构与所述外延层相邻；

所述衬底还包括第二区；所述第一氮化处理之前还包括：在所述第二区第一氧化层上形成第一图形层；以所述第一图形层为掩膜对所述第一区衬底进行离子注入，在所述第一区衬底中形成第一掺杂区；所述离子注入之后，对所述第一图形层进行第一灰化处理，去除所述第一图形层，增加所述第一氧化层的厚度；

或者，形成所述第一氧化层的方法包括：在所述第二区衬底上形成第一图形层；以所述第一图形层为掩膜对所述第一区衬底进行离子注入，在所述第一区衬底中形成第一掺杂区；所述离子注入之后，对所述第一图形层进行第一灰化处理，去除所述第一图形层，并在所述衬底表面形成第一氧化层；

所述形成方法还包括：在所述第一区第一氧化层上形成第二图形层；以所述第二图形层为掩膜对所述第二区衬底进行加工处理；所述加工处理之后，对所述第二图形层进行第二灰化处理，去除所述第二图形层；

所述第一氮化处理之后，形成所述第二图形层；所述第二灰化处理之后，还包括：对所述钝化层进行第二氮化处理，增加所述钝化层中氮原子的含量；

或者，所述第二灰化处理之后，形成第一图形层；所述第二灰化处理之后，形成第一图形层之前，还包括：对所述第一氧化层进行第二氮化处理，增加所述第一氧化层中氮原子的含量。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一氮化处理的步骤包括：向所述第一氧化层表面通入钝化气体，所述钝化气体中含有氮原子，所述钝化气体与第一氧化层反应，增加第一氧化层中氮原子的含量形成钝化层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述钝化气体包括氮气，所述第一氮化处理的工艺参数包括：钝化气体的纯度大于95％，钝化气体流量为8000sccm～10000sccm；气体压强为1350mtorr～1650mtorr；反应温度为255℃～315℃。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一灰化处理的灰化气体包括：氢气和氧气中的一种或两种组合。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一灰化处理的灰化气体还包括氮气。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一灰化处理的灰化气体包括氮气和氢气；所述第一灰化处理的工艺参数包括：所述灰化气体的纯度为95％～97％；所述灰化气体中氢气的体积浓度为3％～18％；灰化气体的流量为8000sccm～10000sccm；气体压强为1350mtorr～1650mtorr；反应温度为255℃～315℃。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二区域的个数为多个，所述形成方法还包括：重复形成第二图形层、加工处理、第二灰化处理和第二氮化处理的步骤7次～13次。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述钝化层的材料为氮氧化硅。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述钝化层的厚度为1.15埃～1.4埃，所述钝化层中氮原子的含量大于0.81E15atoms/cm²。