[发明专利]基于光学的微下拉炉籽晶对中调节方法在审

专利信息
申请号: 201810007665.3 申请日: 2018-01-04
公开(公告)号: CN108193265A 公开(公告)日: 2018-06-22
发明(设计)人: 屈菁菁;丁雨憧;付昌禄 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
主分类号: C30B15/08 分类号: C30B15/08;C30B15/20
代理公司: 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 代理人: 孙根
地址: 400060 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 籽晶杆 坩埚 摄像头 监控终端 籽晶 摄像头采集 图像 下拉 图像清晰度计算 图像传感器 快速判断 前后调节 生长过程 通讯模块 图像连接 晶体的 重复 放入 引晶 发送 生长 保证
【权利要求书】:

1.一种基于光学的微下拉炉籽晶对中调节方法,其特征在于:包括如下步骤:

1)在微下拉炉的观察窗上安装摄像头,并与坩埚和籽晶接触的位置正对,该摄像头经图像传感器和通讯模块后与监控终端图像通讯连接;

2)通过摄像头采集坩埚图像,并调整摄像头的像距,使采集的坩埚图像成像清晰;

3)保持摄像头的像距不变,放入籽晶杆,并调节好籽晶杆的位置,然后通过摄像头采集籽晶杆的图像;

4)图像传感器将摄像头采集的坩埚图像和籽晶杆图像分别进行图像清晰度计算;

5)图像传感器经通讯模块将坩埚图像与籽晶杆图像的清晰度发送至监控终端;

6)监控终端接收到图像传感器发送的信号后,对比坩埚图像与籽晶杆图像的清晰度,判断坩埚距摄像头的距离值大小和籽晶杆距摄像头的距离值大小是否一致:若清晰度一致,则坩埚与籽晶杆物距相同,此时籽晶杆与坩埚距摄像头距离一致,籽晶杆与坩埚前后对中;若清晰度不一致,则坩埚与籽晶杆物距不同,即此时籽晶杆与坩埚距摄像头距离有偏差,籽晶杆与坩埚前后偏离;

7)工作人员根据监控终端显示的结果向前调节籽晶杆,重复步骤4)—6),若图像清晰度增大,则继续调节籽晶杆;若图像清晰度减小,则向后调节籽晶杆;

8)重复步骤4)—7),直至籽晶杆的清晰度与坩埚的清晰度一致,实现籽晶杆与坩埚对中;

9)引晶生长过程中,重复步骤4)—8),即可判断籽晶与坩埚的相对位置,并通过调节籽晶杆实现籽晶与坩埚对中。

2.根据权利要求1所述的基于光学的微下拉炉籽晶对中调节方法,其特征在于:所述图像清晰度判别采用点锐度算法,其着眼于统计每一像素周围的灰度扩散情况,图像清晰度评价函数计算式如下:

其中,图像大小为m×n,f(x,y)为相应像素的灰度值,df是灰度变化幅值,dx是像素间距离增量。

3.根据权利要求1所述的基于光学的微下拉炉籽晶对中调节方法,其特征在于:所述图像传感器为CCD或CMOS图像传感器。

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