[发明专利]一种低剖面单向辐射差分超宽带天线

权利要求书

1.一种低剖面单向辐射差分超宽带天线，其特征在于：包括双向辐射差分超宽带天线和封装腔，双向辐射差分超宽带天线位于封装腔的上方；整个封装腔的高度为最低工作频率上波长的1/10，降低了整个天线的高度，减小了其体积；在辐射边和非辐射边设置屏蔽过孔和屏蔽金属带，实现天线的单向辐射，同时实现天线的超宽带工作；

所述双向辐射差分超宽带天线从上至下设置有接地板、矩形介质基板、左馈电贴片和右馈电贴片；接地板放置于矩形介质基板的上面，左馈电贴片与右馈电贴片关于x轴对称并关于y轴对称，且位于矩形介质基板的下面；接地板设有圆孔，圆孔径向且沿x轴方向设有一条平衡金属带，平衡金属带两端连接接地板；所述左馈电贴片由微带线、短截线、矩形金属贴片和一个半圆形的贴片连接构成整体；所述右馈电贴片由微带线、短截线、矩形金属贴片和一个半圆形的贴片连接构成整体；微带线连接短截线和矩形金属贴片，矩形金属贴片连接半圆形的贴片；

所述封装腔包括封装地、短路过孔、辐射边屏蔽过孔、非辐射边屏蔽过孔、非辐射边屏蔽金属带、阻抗匹配过孔、阻抗匹配圆板，封装腔高度为8~10mm；封装腔上端连接到接地板，下端与封装地相连；封装地位于介质基板正下方，封装地为形状与介质板相同的金属板；短路过孔位于平衡金属带下方；

所述辐射边屏蔽过孔包括左辐射边屏蔽过孔和右辐射边屏蔽过孔，左辐射边屏蔽过孔、右辐射边屏蔽过孔关于x轴对称，左辐射边屏蔽过孔下端连接在封装地上，上端悬空；右辐射边屏蔽过孔下端连接在封装地上，上端悬空，左辐射边屏蔽过孔、右辐射边屏蔽过孔的高度均为封装腔高度的3/4；左辐射边屏蔽过孔有两组，每组若干个过孔，两组左辐射边屏蔽过孔对称地分布在y轴两侧，离开y轴距离为5~7mm，相邻左辐射边屏蔽过孔间距为0.5~1.5mm；右辐射边屏蔽过孔有两组，每组若干个过孔，两组辐射边屏蔽过孔对称地分布在y轴两侧，离开y轴距离为5~7mm，相邻右辐射边屏蔽过孔间距为0.5~1.5mm；

所述非辐射边屏蔽过孔包括前非辐射边屏蔽过孔和后非辐射边屏蔽过孔，前非辐射边屏蔽过孔、后非辐射边屏蔽过孔关于y轴对称，前非辐射边屏蔽过孔下端连接在封装地上，上端悬空；后非辐射边屏蔽过孔下端连接在封装地上，上端悬空；前非辐射边屏蔽过孔、后非辐射边屏蔽过孔的高度均为封装腔高度的3/4；前非辐射边屏蔽过孔有两组，位于封装腔的前端，每组若干个过孔，两组前非辐射边屏蔽过孔对称地分布在x轴两侧，且离开x轴距离为1~3mm，相邻前非辐射边屏蔽过孔间距为8~10mm；后非辐射边屏蔽过孔有两组，位于封装腔的后端，每组若干个过孔，两组后非辐射边屏蔽过孔对称地分布在x轴两侧，且离开x轴距离为1~3mm，相邻后非辐射边屏蔽过孔间距为8~10mm；

所述非辐射边屏蔽金属带包括前非辐射边屏蔽金属带和后非辐射边屏蔽金属带，前非辐射边屏蔽金属带、后非辐射边屏蔽金属带关于y轴对称；若干条前非辐射边屏蔽金属带沿z轴均匀分布，位于封装腔的前端，前非辐射边屏蔽金属带的高度为封装腔高度的3/4；若干条后非辐射边屏蔽金属带沿z轴均匀分布，位于封装腔的后端，后非辐射边屏蔽金属带的高度为封装腔高度的3/4；

所述阻抗匹配过孔有4个，下端连接封装地，上端悬空，4个阻抗匹配过孔在封装地上的连接点位于与x轴的夹角分别为45°、135°、225°、315°的直线上；阻抗匹配圆板为以阻抗匹配过孔为圆心，位于阻抗匹配过孔悬空的顶端；

坐标原点位于最上面接地板的中心，xy平面建立在最上层接地板所在的平面，x轴沿着平衡金属带，y轴与其垂直，z轴垂直于接地板所在的平面。