[发明专利]成膜方法及真空处理装置

权利要求书

1.一种真空处理装置，是用于IGZO膜成膜的真空处理装置，其特征在于，具有：

真空加热室，具有第一真空泵和加热机构，作为第一真空泵，使用对包括水分子的气体进行真空排气可将其内部真空排气到1×10^-3Pa的泵，在由第一真空泵真空排气后的状态下通过加热机构加热处理对象物，使附着于该处理对象物的水分子脱离；

储备室，具有第二真空泵，作为第二真空泵，使用对水分子进行真空排气可将其内部真空排气到1×10^-4Pa的泵，加热完的处理对象物在真空环境中从真空加热室被输送到所述储备室中，在通过第二真空泵真空排气后的状态下储备处理对象物；以及

真空处理室，具有第三真空泵，处理对象物在真空环境中从储备室被输送到所述真空处理室，在通过第三真空泵真空排气了的状态下对处理对象物实施预定的处理；

所述真空处理装置具有：第一测定机构，测定所述真空加热室内的水分压；以及第二测定机构，测定所述储备室内的水分压；所述真空处理装置还具有判定机构，所述判定机构在由第一测定机构测定的第一测定值达到规定值时，以及由第二测定机构测定的第二测定值达到低于第一测定值的规定值时，允许处理对象物的输送，

成膜时所述真空处理室内的水分压控制在1×10^-5Pa～1×10^-3Pa的范围内。

2.根据权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于：

在所述储备室内设置有吸附水分子的吸附机构。

3.根据权利要求1或2所述的真空处理装置，其特征在于：

在所述真空处理室设置：包含铟、镓和锌的烧结体的靶体；向靶体施加电力的电源；分别导入放电用气体和氧气的气体导入机构；以及测定真空处理室内水分压的第三测定机构；

所述真空处理装置具有控制机构，所述控制机构在真空处理室内水分压真空排气到1×10^-5Pa～1×10^-3Pa范围内的规定压力时，进行放电用气体和氧气的导入以及向靶体的电力施加。