[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

衬底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

第一浮置扩散区，其位于所述衬底中，所述第一浮置扩散区与所述第一表面相邻；

穿通电极，其位于所述衬底中，所述穿通电极电连接至所述第一浮置扩散区；

顺序层叠在所述第二表面上的绝缘结构、底部电极、光电转换层和顶部电极；

滤色器，其掩埋在所述绝缘结构中；以及

顶部接触插塞，其穿透所述绝缘结构，所述顶部接触插塞将所述底部电极连接到所述穿通电极，

其中，所述穿通电极包括掺杂多晶硅。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述顶部接触插塞的宽度小于所述穿通电极的宽度。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述顶部接触插塞的宽度从所述顶部接触插塞的顶表面到所述第二表面逐渐减小。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述绝缘结构包括：

第一绝缘图案，其具有凹区域，所述凹区域包括所述滤色器；以及

第二绝缘图案，其位于所述滤色器上。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述穿通电极的一端与所述第二表面实质上共面。

6.根据权利要求5所述的图像传感器，其中，所述穿通电极的所述一端与另一端之间的距离小于所述第二表面与所述第一表面之间的距离。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：

层间绝缘层，其位于所述第一表面上；以及

第一底部接触插塞，其穿透所述层间绝缘层，所述第一底部接触插塞连接到所述穿通电极。

8.根据权利要求7所述的图像传感器，还包括：

填充绝缘图案，其位于所述穿通电极与所述层间绝缘层之间，其中，所述第一底部接触插塞穿透所述填充绝缘图案。

9.根据权利要求7所述的图像传感器，还包括：

第二底部接触插塞，其穿透所述层间绝缘层以连接到所述第一浮置扩散区；以及

互连线，其位于所述层间绝缘层上，所述互连线将所述第一底部接触插塞与所述第二底部接触插塞电连接。

10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，所述第一底部接触插塞的垂直长度大于所述第二底部接触插塞的垂直长度。

11.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：

阱掺杂区，其位于所述衬底中，所述阱掺杂区与所述第一表面相邻，所述阱掺杂区具有第一导电类型；

光电转换区，其位于所述衬底中且位于所述第二表面与所述阱掺杂区之间，所述光电转换区具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型；以及

第二浮置扩散区，其位于所述阱掺杂区中，所述第二浮置扩散区具有所述第二导电类型。

12.一种图像传感器，包括：

衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面，所述衬底包括沿第一方向设置的像素区域；

位于所述衬底中的第一深器件隔离图案和第二深器件隔离图案，所述第一深器件隔离图案包括在第一方向上延伸的第一延伸部分，且所述第二深器件隔离图案包括在第一方向上延伸的第二延伸部分，所述第一延伸部分和所述第二延伸部分彼此间隔开，所述像素区域介于所述第一延伸部分与所述第二延伸部分之间；

穿通电极，其位于所述衬底中，当在平面图中观察时，所述穿通电极在各像素区域之间；

顺序设置在所述第二表面上的绝缘结构、光电转换层和顶部电极；

底部电极，其位于所述绝缘结构与所述光电转换层之间；

顶部接触插塞，其位于所述绝缘结构中以分别将所述底部电极连接到所述穿通电极；以及

滤色器，其掩埋在所述绝缘结构中，

其中，所述穿通电极包括掺杂剂。