[发明专利]光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法

说明书

一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，修正方法：对第一类型分割边和第二类型分割边进行第一OPC修正，得到第一类型初始修正边和第二类型修正边；根据初始边缘放置误差对第一类型初始修正边进行第二OPC修正，得到第一类型修正边；之后获取第一类型修正边的第一边缘放置误差和第二类型修正边的第二边缘放置误差；若第一边缘放置误差大于第一阈值或第二边缘放置误差大于第二阈值，将第一类型修正边和第二类型修正边构成的图形作为目标图形并重复将子目标图形的各边分割为若干分割边至获取第一边缘放置误差和第二边缘放置误差的过程直至第一边缘放置误差和第二边缘放置误差均小于第二阈值，第一阈值小于第二阈值。提高了修正效率。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法。

背景技术

光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，光刻技术能够实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。光刻工艺包括曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现掩膜版图案转移到光刻胶上；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。

在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(OPE：Optical Proximity Effect)。

为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近校正(OPC：Optical ProximityCorrection)。光学邻近校正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近校正模型，根据光学邻近校正模型设计光掩模图形，这样虽然光刻后的光刻图形相对应光掩模图形发生了光学邻近效应，但是由于在根据光学邻近校正模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。

然而，现有技术中光学邻近校正的效率较低。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，以提高修正效率。

为解决上述问题，本发明提供一种光学邻近修正方法，包括：提供目标图形，所述目标图形包括多个子目标图形；将子目标图形的各边分割为若干分割边；获取若干分割边中的第一类型分割边，第一类型分割边之外的分割边为第二类型分割边；对第一类型分割边和第二类型分割边进行第一OPC修正，得到第一类型初始修正边和第二类型修正边；获取第一类型初始修正边的初始边缘放置误差；根据初始边缘放置误差对第一类型初始修正边进行第二OPC修正，得到第一类型修正边；进行第二OPC修正后，获取第一类型修正边的第一边缘放置误差和第二类型修正边的第二边缘放置误差；若第一边缘放置误差大于第一阈值，或第二边缘放置误差大于第二阈值，则将第一类型修正边和第二类型修正边构成的图形作为目标图形，并重复将子目标图形的各边分割为若干分割边至获取第一边缘放置误差和第二边缘放置误差的过程，直至第一边缘放置误差小于第一阈值，且第二边缘放置误差小于第二阈值，第一阈值小于第二阈值。

可选的，获取所述初始边缘放置误差的方法包括：对第一类型初始修正边和第二类型修正边构成的图形进行模拟曝光，获得第一模拟曝光图形，所述第一模拟曝光图形包括对应第一类型初始修正边的第一曝光边；根据第一曝光边相对于第一类型分割边的位置偏移程度得到初始边缘放置误差。