[发明专利]一种GaSb基背靠背结构四波段红外探测器及制备方法

权利要求书

1.一种GaSb基背靠背结构的四波段探测器，其特征在于，至少要在GaSb衬底上生长缓冲层、P型欧姆接触层、四个波段的光吸收区、N型欧姆接触层；所述四个波段的光吸收区为4个不同吸收截止波长的吸收区，且4个吸收区截止波长分别为4.6μm、4.1μm、2.9μm、2.5μm，吸收材料由InAs/GaSb II类超晶格构成；

其中，截止波长为4.6μm的吸收区结构为：P区为掺杂浓度为2×10¹⁸cm^-3、且60个周期交替排列的8/8ML InAs/GaSb的II类超晶格，I区为280个周期交替排列的8/8ML的InAs/GaSb的II类超晶格，N区为掺杂浓度为1×10¹⁸cm^-3、且60个周期交替排列的8/8ML InAs/GaSb层；

截止波长为4.1μm的吸收区结构为：N区为掺杂浓度为1×10¹⁸cm^-3、且50个周期交替排列的7/7ML的InAs/GaSb II类超晶格，I区为280个周期交替排列的7/7ML的InAs/GaSb II类超晶格，P区为掺杂浓度为2×10¹⁸cm^-3、且50个周期交替排列的7/7ML的InAs/GaSb II类超晶格；

截止波长为2.9μm的吸收区结构为：P区为掺杂浓度为2×10¹⁸cm^-3、且50个周期交替排列的4/6ML的InAs/GaSb II类超晶格，I区为350个周期交替排列的4/6ML的InAs/GaSb II类超晶格，N区为1×10¹⁸cm^-3、且50个周期交替排列的4/6ML的InAs/GaSb II类超晶格；

截止波长2.5μm的吸收区结构为：P区掺杂浓度为2×10¹⁸cm^-3、且50个周期交替排列的4/9ML的InAs/GaSb II类超晶格，I区为35个周期交替排列的4/9ML的InAs/GaSb II类超晶格，N区为1×10¹⁸cm^-3、且50个周期的4/9ML的InAs/GaSb II类超晶格。

2.如权利要求1所述的探测器，其特征在于，利用吸收截止波长为2.9μm和2.5μm的吸收区的吸收曲线的差值来标定CO₂的2.7μm的吸收峰值。

3.如权利要求1所述的探测器，其特征在于，利用吸收截止波长为4.6μm和4.1μm的吸收区的吸收曲线的差值来标定CO₂的4.27μm的吸收峰值。