[发明专利]一种SSD写性能的提高方法及装置

权利要求书

1.一种SSD写性能的提高方法，其特征在于，所述方法包括：

如果接收到写IO指令，则判断SLC Cache是否存在空闲物理空间，所述空闲物理空间是指所述SLC Cache的剩余空闲空间大于或等于写入数据所需的存储空间；

如果不存在所述空闲物理空间，则获取SSD的闪存的Block地址；

更改所述Block地址的闪存模式为单层式存储SLC模式，所述Block地址为借用SLCCache；

根据所述SLC模式，在所述Block地址内所述执行所述写IO指令。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述闪存模式包括多层式存储MLC模式和三层式存储TLC模式。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述Block地址内所述执行所述写IO指令之后，所述方法还包括：

判断所述SSD的属性是否满足预置释放条件；

如果判断结果为是，则根据预置垃圾回收机制GC，将所述Block地址内的数据搬移到所述空闲存储空间；

还原所述Block地址的闪存模式，释放所述借用SLC Cache。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述判断所述SSD的属性是否满足预置释放条件，包括：

判断所述SSD的闪存的空闲存储空间是否小于预置最小剩余存储空间；和/或，

判断所述SSD的IO压力是否小于预置压力值。

5.如权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述Block地址包括闪存空间中n个Block，n大于或等于1，且n为整数。

6.一种SSD写性能的提高装置，其特征在于，所述装置包括：

第一判断单元，用于如果接收到写IO指令，则判断SLC Cache是否存在空闲物理空间，所述空闲物理空间是指所述SLC Cache的剩余空闲空间大于或等于写入数据所需的存储空间；

获取单元，用于如果不存在所述空闲物理空间，则获取SSD的闪存的Block地址；

更改单元，用于更改所述Block地址的闪存模式为单层式存储SLC模式，所述Block地址为借用SLC Cache；

执行单元，用于根据所述SLC模式，在所述Block地址内所述执行所述写IO指令。

7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述闪存模式包括多层式存储MLC模式和三层式存储TLC模式。

8.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

第二判断单元，用于所述在所述Block地址内所述执行所述写IO指令之后，判断所述SSD的属性是否满足预置释放条件；

搬移单元，用于如果判断结果为是，则根据预置垃圾回收机制GC，将所述Block地址内的数据搬移到所述空闲存储空间；

还原单元，用于还原所述Block地址的闪存模式，释放所述借用SLC Cache。

9.如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述第二判断单元，用于：

判断所述SSD的闪存的空闲存储空间是否小于预置最小剩余存储空间；和/或，

判断所述SSD的IO压力是否小于预置压力值。

10.如权利要求6-9任一项所述的装置，其特征在于，所述Block地址包括闪存空间中n个Block，n大于或等于1，且n为整数。