[发明专利]高亮度LED及其制备工艺

权利要求书

1.一种高亮度LED制备工艺，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上沉积缓冲层；

在所述缓冲层上沉积电子提供层；

在所述电子提供层上沉积发光层；

在所述发光层上沉积空穴提供层；

所述发光层包括交替沉积在所述电子提供层上的多个发光阱层和多个发光垒层，所述发光阱层和所述发光垒层交替层叠设置，发光阱层为铟镓氮层，发光垒层为氮化镓层，发光阱层数量等于发光垒层数量，第一个发光阱层沉积在电子提供层上，空穴提供层沉积在最后一个发光垒层上；发光层中靠近空穴提供层一侧位于发光阱层和发光垒层之间至少其中之一设置第一薄阱层和第一薄垒层，所述第一薄阱层产生的势阱深度高于发光阱层势阱深度且在第一薄阱层中铟含量保持不变，所述第一薄垒层产生的势垒深度低于发光垒层势垒深度，且在第一薄垒层中铟含量以渐变的方式减少，第一薄阱层与第一薄垒层接触面铟含量相等。

2.如权利要求1所述的高亮度LED制备工艺，其特征在于，所述第一薄垒层与所述发光垒层之间插入第二薄垒层，所述第二薄垒层势垒 深度低于所述发光垒层势垒 深度且高于所述第一薄垒层势垒 深度。

3.如权利要求1或2所述的高亮度LED制备工艺，其特征在于，所述发光层中靠近空穴提供层一侧的发光阱层阱宽大于靠近电子提供层一侧的发光阱层阱宽。

4.如权利要求3所述的高亮度LED制备工艺，其特征在于，所述发光层与空穴提供层之间设置阻隔层，所述阻隔层为铝镓氮层。

5.如权利要求4所述的高亮度LED制备工艺，其特征在于，所述阻隔层包括多层依次沉积的铝镓氮层，各层铝镓氮层从发光层至空穴提供层铝含量依次减少。

6.如权利要求5所述的高亮度LED制备工艺，其特征在于，所述发光层中靠近空穴提供层最后两个或三个发光阱层与发光垒层之间均依次设置第一薄阱层、第一薄垒层。

7.如权利要求5所述的高亮度LED制备工艺，其特征在于，所述发光层中靠近空穴提供层最后两个或三个发光阱层与发光垒层之间均依次设置第一薄阱层、第一薄垒层、第二薄垒层。

8.如权利要求5所述的高亮度LED制备工艺，其特征在于，所述第一薄阱层产生的势阱深度高于发光阱层势阱深度通过铟源流量和镓源流量比控制实现；通过铟源流量和镓源流量保持一固定比例使第一薄阱层中铟含量保持不变；沉积完第一薄阱层并开始沉积第一薄垒层时，使第一薄垒层中铟源流量和镓源流量比低于第一薄阱层中铟源流量和镓源流量比，在从开始沉积第一薄垒层至沉积结束，整个过程中铟源流量和镓源流量之比逐渐减小，使第一薄垒层产生的势垒深度低于发光垒层势垒深度。

9.如权利要求5所述的高亮度LED制备工艺，其特征在于，通过设定第二薄垒层中铟源流量和镓源流量比低于第一薄垒层中铟源流量和镓源流量比，在从开始沉积第二薄垒层至沉积结束并开始沉积发光垒层，整个过程中铟源流量和镓源流量之比逐渐减小使所述第二薄垒层势垒 深度低于发光垒层势垒 深度且高于第一薄垒层势垒 深度。

10.一种高亮度LED，其特征在于，包括：

衬底；

在所述衬底上沉积的缓冲层；

在所述缓冲层上沉积的电子提供层；

在所述电子提供层上沉积的发光层；

在所述发光层上沉积的空穴提供层；

所述发光层包括交替沉积在所述电子提供层上的多个发光阱层和多个发光垒层，所述发光阱层和所述发光垒层交替层叠设置，发光阱层为铟镓氮层，发光垒层为氮化镓层，发光阱层数量等于发光垒层数量，第一个发光阱层沉积在电子提供层上，空穴提供层沉积在最后一个发光垒层上；发光层中靠近空穴提供层一侧位于发光阱层和发光垒层之间至少其中之一设置第一薄阱层和第一薄垒层，所述第一薄阱层产生的势阱深度高于发光阱层势阱深度且在第一薄阱层中铟含量保持不变，所述第一薄垒层产生的势垒深度低于发光垒层势垒深度，且在第一薄垒层中铟含量以渐增的方式增加，第一薄阱层与第一薄垒层接触面铟含量相等。