[发明专利]一种阻变存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种阻变存储器件，该阻变存储器包括下电极、阻变材料层、上电极，其特征在于所述阻变材料层包括第一阻变材料层和第二阻变材料层，所述第一阻变材料层中包括采用电学初始化的方法形成的导电细丝。

2.如权利要求1所述的阻变存储器件，其特征在于所述第一阻变材料层和第二阻变材料层采用不同材料的固态电解液材料。

3.如权利要求2所述的阻变存储器件，所述下电极为惰性电极，所述上电极为活性电极。

4.如权利要求1所述的阻变存储器件，所述导电细丝的形成方法为在第一阻变材料层上形成中间电极，然后采用半导体参数分析仪电学forming的方法形成所述导电细丝。

5.如权利要求1所述的阻变存储器件，去除所述中间电极后在所述第一阻变材料层上形成所述第二阻变材料层，在所述第二阻变材料层上形成所述上电极。

6.如权利要求3所述的阻变存储器件，其特征在于所述下电极为Pt，所述上电极为Cu或Ag。

7.一种阻变存储器件的形成方法，包括以下步骤：

步骤1，形成下电极，接着形成第一阻变材料层，然后形成中间电极；步骤2，采用半导体参数分析仪在中间电极上施加电压、下电极接地进行初始化操作，也就是forming操作，形成导电细丝；

步骤3，采用干法或者湿法的方式刻蚀去除所述中间电极；

步骤4，继续形成第二阻变层以及上电极。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于所述第一阻变材料层和所述第二阻变材料层采用不同材料的固态电解液材料。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于所述下电极为Pt，上电极为Cu或Ag。