[发明专利]一种用于微带探针的光纤端面耦合器的制作方法

权利要求书

1.一种用于微带探针的光纤端面耦合器的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：

(1)通过热氧化法在硅晶片上生成氧化物层；

(2)在步骤(1)的氧化物层上沉积一层牺牲层；

(3)使用真空蒸发镀膜法，在步骤(2)的牺牲层上镀金属膜形成金属面屏；

(4)在步骤(3)的金属面屏上旋转涂敷光刻胶；

(5)对光刻胶进行紫外线曝光显影，形成插槽，所述插槽的形状为圆柱形，所述插槽的直径与待插接光纤的外径相同；

(6)将光纤插入插槽并固定；

(7)去除牺牲层，将光纤端面耦合器与硅晶片分离；

(8)利用聚焦离子束刻蚀技术在金属面屏上加工出供微带探针装配的安装孔。

2.如权利要求1所述的用于微带探针的光纤端面耦合器的制作方法，特征在于：所述步骤(1)中，热氧化法制备的过程为：去除硅晶片表面的自然氧化层，使用HF/H腐蚀液，将清洗过的晶片浸入腐蚀液内约1分钟后取出，用去离子水冲洗晶片表面后吹干；再放入管式真空炉并设置温度参数；将硅晶片放入管式炉中心位置，紧固炉管两侧的连接法兰，打开氧气钢瓶；启动管式炉，开始热氧化生长二氧化硅薄膜；生长结束后，取出。

3.如权利要求1或2所述的用于微带探针的光纤端面耦合器的制作方法，特征在于：所述步骤(2)的牺牲层采用电化学沉积工艺。

4.如权利要求1或2所述的用于微带探针的光纤端面耦合器的制作方法，特征在于：所述步骤(3)采用真空镀膜方法生长金属面屏，所述金属面屏的形状为圆形。

5.如权利要求4所述的用于微带探针的光纤端面耦合器的制作方法，特征在于：所述金属面屏为铝面屏，铝片熔点相对较低，采用电阻加热法加热。

6.如权利要求1或2所述的用于微带探针的光纤端面耦合器的制作方法，特征在于：所述步骤(4)中，光刻胶为SU-8光刻胶，采用紫外光刻的方法，在SU-8光刻胶上制备插槽，使得圆柱形SU-8光刻胶的中心区域镂空但并未贯穿，此时，插槽与光纤相连，杯底外侧连接金属面屏，而金属面屏通过牺牲层和二氧化硅氧化层连接着硅基底；将牺牲层溶解，就将耦合器与硅晶片分离开来。

7.如权利要求1或2所述的用于微带探针的光纤端面耦合器的制作方法，特征在于：所述步骤(8)中，所述安装孔为方形孔，利用聚焦离子束刻蚀技术在金属面屏上加工出方形孔，所述方形孔必须贯穿铝面屏，其尺寸由微带探针的尺寸决定。

8.如权利要求1或2所述的用于微带探针的光纤端面耦合器的制作方法，特征在于：所述步骤(5)中，所述插槽为杯状插槽，所述杯状插槽的杯底外面为光滑平面，所述光滑平面上生长一层金属薄膜，形成所述金属面屏。