[发明专利]低功耗电压检测电路

权利要求书

1.一种低功耗电压检测电路，其特征在于，其包含：

一电压源；

一低电压检测电路，经配置以在触发时取样该电压源的电压，并判断该电压源的电压是否低于一参考电压，并预设处于关闭状态；

一临界电压检测电路，连接于该低电压检测电路的一第一控制端，经配置以依据一时脉信号，在一取样周期中检测该电压源的电压是否下降超过一临界电压，若是，则经由该第一控制端输出一第一触发信号以触发该低电压检测电路；以及

一漏电检测电路，包含：

一工作电压电路，其分别连接于一第一开关电路及一第二开关电路，并输出一工作电压；

一第一电容，其连接于该第一开关电路与一第一接地端之间；

一第二电容，其连接于该第二开关电路与一第二接地端之间；及

一第一比较器，经配置以比较该第一电容及该第二电容之间的电压差是否超过一预定电压，若是，则该第一比较器的一输出端输出一第二触发信号至该低电压检测电路的一第二控制端，以触发该低电压检测电路，

其中该第一电容与该第二电容的放电速率不同。

2.如权利要求1所述的低功耗电压检测电路，其特征在于，该临界电压检测电路包含：

一第一NMOS场效晶体管，其漏极连接于该电压源，且一第三电容连接于其源极与一第三接地端之间，该第一NMOS场效晶体管的栅极接收该时脉信号；

一第一PMOS场效晶体管，其源极连接于该第一NMOS场效晶体管及该第三电容之间，其栅极连接于该电压源，且一第四电容连接于该第一PMOS场效晶体管及一第四接地端之间；

其中当该电压源的电压下降超过该第一PMOS场效晶体管的该临界电压时，该第一PMOS场效晶体管导通并输出该第一触发信号以触发该低电压检测电路。

3.如权利要求1所述的低功耗电压检测电路，其特征在于，该低电压检测电路包含：

一第二比较器，具有一第一输入端及一第二输入端，该第一输入端连接于该电压源，该第二输入端接收该参考电压；

一第三开关电路，连接于该第二比较器的控制端，经配置以在接收该第一触发信号或该第二触发信号时启动该第二比较器。

4.如权利要求3所述的低功耗电压检测电路，其特征在于，该低电压检测电路更包含一低压重置电路，经配置以在该第二比较器判断该电压源的电压低于该参考电压时，接收该第二比较器的第三触发信号而启动产生一低压重置信号。

5.如权利要求3所述的低功耗电压检测电路，其特征在于，该低电压检测电路更包含一分压电路，其连接于该电压源及该第一输入端之间，以将该电压源进行分压。

6.如权利要求1所述的低功耗电压检测电路，其特征在于，该第一开关电路包含：

一第二NMOS场效晶体管，其源极连接于该工作电压电路，其栅极连接于该第一比较器的输出端；

一第二PMOS场效晶体管，其源极及栅极连接于该第二NMOS场效晶体管的漏极，其漏极接地，

其中该第一电容连接于该第二PMOS场效晶体管的源极及该第一接地端之间。

7.如权利要求1所述的低功耗电压检测电路，其特征在于，该第二开关电路包含：

一第三NMOS场效晶体管，其源极连接于该工作电压电路，其栅极连接于该第一比较器的输出端；

一第三PMOS场效晶体管，其源极及栅极连接于该第三NMOS场效晶体管的漏极，其漏极接地，

其中该第二电容连接于该第三PMOS场效晶体管的源极及该第二接地端之间。

8.如权利要求1所述的低功耗电压检测电路，其特征在于，该时脉信号来自该第一比较器的该第二触发信号。

9.如权利要求1所述的低功耗电压检测电路，其特征在于，该第一电容向该第一开关电路的漏电路径及该第二电容向该第二开关电路的漏电路径与该临界电压检测电路的漏电路径相同。