[发明专利]喷头和气体供应系统在审
申请号: | 201810014179.4 | 申请日: | 2018-01-08 |
公开(公告)号: | CN108231632A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 李国强;林宗贤;吴孝哲 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23C16/455 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;董琳 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 喷头 气体隔离层 喷淋区域 气体供应系统 气体分散 单独控制 气体管路 均匀性 堆叠 空腔 喷出 连通 隔离 | ||
1.一种喷头,其特征在于,包括:
两个以上相互隔离的喷淋区域;
每个喷淋区域包括相互堆叠且连通的气体隔离层和气体分散层;
所述气体隔离层包括空腔,不同喷淋区域的气体隔离层分别连接至不同的气体管路;
所述气体分散层包括多个分散的气孔,用于将对应的气体隔离层内通入的气体分散喷出。
2.根据权利要求1所述的喷头,其特征在于,所有喷淋区域沿所述喷头中心对称设置。
3.根据权利要求1所述的喷头,其特征在于,所述喷头包括沿喷头中心向喷头边缘的连线垂直分割的两个以上的喷淋区域。
4.根据权利要求1所述的喷头,其特征在于,所述喷头包括位于所述喷头中心位置的中心喷淋区域,以及围绕所述中心喷淋区域设置的一个以上环形喷淋区域。
5.根据权利要求1所述的喷头,其特征在于,所述喷头包括位于所述喷头中心位置的中心喷淋区域,以及沿喷头中心与喷头边缘的连线将位于所述中心喷淋区域外围的一个以上同心环形区域垂直分割而成的多个外围喷淋区域。
6.根据权利要求1所述的喷头,其特征在于,不同喷淋区域的气体分散层的气孔密度相同。
7.根据权利要求1所述的喷头,其特征在于,不同喷淋区域之间通过隔板隔离。
8.一种气体供应系统,其特征在于,包括:
如权利要求1至7任一项所述的喷头;
多个气体供应管路,分别连接所述喷头的各个喷淋区域。
9.根据权利要求8所述的气体供应系统,其特征在于,所述气体供应管路包括气流控制装置以及气体管道。
10.根据权利要求9所述的气体供应系统,其特征在于,气流控制装置包括流量控制器、比例控制器以及压力控制器,所述流量控制器、比例控制器以及压力控制器之间通过气体管道连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造