[发明专利]量子级联激光器有效
| 申请号： | 201810014182.6 | 申请日： | 2018-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN110021878B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 斋藤真司;角野努;桥本玲;金子桂 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子 级联 激光器 | ||
1.一种量子级联激光器，具备：
活性层，具有多个注入量子阱区域和多个发光量子阱区域，且是各注入量子阱区域和各发光量子阱区域交替地层叠而成的活性层，所述各发光量子阱区域通过单载流子的子带间光学跃迁而发出激光，所述各注入量子阱区域使所述子带间光学跃迁后的所述单载流子向微带能级弛豫而向下游的发光量子阱区域注入；
第1包层和第2包层，以从两侧夹持所述活性层的外侧面的方式设置，具有比所述各发光量子阱区域的实效折射率低的折射率；以及
光引导层，是将所述活性层沿着层叠方向一分为二并且与所述第1包层以及第2包层分离的光引导层，具有比所述各发光量子阱区域的所述实效折射率高的折射率，具有比所述各发光量子阱区域的量子阱层的全部的阱层的厚度大的厚度，
所述单载流子的子带间能量能级差比所述发光量子阱区域的带隙能量小。
2.根据权利要求1所述的量子级联激光器，其中，
所述光引导层以将所述活性层沿着层叠方向大致2等分的方式设置。
3.根据权利要求1所述的量子级联激光器，其中，
该量子级联激光器还具备基板，
所述第1包层和第2包层包含与所述基板进行晶格匹配的材料。
4.根据权利要求2所述的量子级联激光器，其中，
该量子级联激光器还具备基板，
所述第1包层和第2包层包含与所述基板进行晶格匹配的材料。
5.根据权利要求1所述的量子级联激光器，其中，
所述光引导层的所述厚度是100nm以上且500nm以下。
6.根据权利要求2所述的量子级联激光器，其中，
所述光引导层的所述厚度是100nm以上且500nm以下。
7.根据权利要求3所述的量子级联激光器，其中，
所述光引导层的所述厚度是100nm以上且500nm以下。
8.根据权利要求4所述的量子级联激光器，其中，
所述光引导层的所述厚度是100nm以上且500nm以下。
9.根据权利要求1所述的量子级联激光器，其中，
基板包含InP，
所述各发光量子阱区域具有包含InxGa1-xAs的阱层和包含InyAl1-yAs的势垒层，其中，0＜x＜1，0＜y＜1，
所述光引导层包含InzGa1-zAs，其中，0＜z＜1，
所述第1包层和所述第2包层包含InP。
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