[发明专利]一种电源钳位ESD保护电路

说明书

本发明公开了一种电源钳位ESD保护电路，包括ESD上升时间检测电路、施密特触发器、主放电MOS管栅压控制电路、主放电MOS管，所述的电源钳位ESD保护电路，只检测ESD电压的上升时间段，所述主放电MOS管工作于线性区。本发明通过检测电源钳位主ESD器件的电压上升时间，配合放电回路，实现了集成电路的ESD保护，且电路中只需要极小的电容，因此可以极大地减小集成电路的面积，使集成电路具有更高效的面积使用率，具有良好的工艺兼容性。同时，对电源电压毛刺也具有较大的容差能力。

技术领域

本发明涉及磁性传感器领域，特别涉及一种电源钳位ESD保护电路。

背景技术

现有的VDD到地的ESD（静电释放）方案中，通常使用了电容和放电电阻，电容用于吸收高频的ESD尖峰，放电电阻则是将ESD的能量以发热的形式消耗掉。由于ESD电压能达到数千伏，因此必须使用较大容值的电容才能承受较高的ESD电压。

在现有的电源钳位ESD保护电路中，大容值的电容占据的面积很大，且由于放电器件为表面效应的MOS器件，导电能力不高，ESD保护效率较低。

发明内容

针对上述技术问题，本发明的目的是提供一种新型的电源钳位ESD保护电路，其电容较小、提高了放电效率。

为达到上述目的本发明采用如下技术方案：

一种电源钳位ESD保护电路，包括ESD上升时间检测电路、施密特触发器、主放电MOS管栅压控制电路、主放电MOS管，

所述的电源钳位ESD保护电路，只检测ESD电压的上升时间段，

所述主放电MOS管工作于线性区。

在一些实施例中，所述ESD上升时间检测电路在有较大ESD电压时，输出信号为高电平；在无较大ESD电压时，输出信号为低电平。

在一些实施例中，所述施密特触发器的输入端连接至所述ESD上升时间检测电路的输出端，在有较大ESD电压时，所述施密特触发器的输出信号为低电平；在无较大ESD电压时，所述施密特触发器的输出信号为高电平。

在一些实施例中，所述主放电MOS管栅压控制电路的输入端连接至所述施密特触发器的输出端，在有较大ESD电压时，所述主放电MOS管栅压控制电路输出信号为高电平；无较大ESD电压时，所述主放电MOS管栅压控制电路输出信号为低电平。

在一些实施例中，所述主放电MOS管是NMOS，所述NMOS的基极连接至主放电MOS管栅压控制电路的输出端，所述NMOS的漏极连接至电源，所述NMOS的源极连接至系统地。

在一些实施例中，所述主放电MOS管在无ESD电压时工作于截止区。

与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：

放电期间，放电MOS管工作于线性区，提高了放电能力。由于只检测上电时间段，不需要大电容，减小了电源钳位电路的面积，提高了硅片的使用效率。

附图说明

图1是根据本发明的一种新型的电源钳位ESD保护电路的整体结构图

图2是ESD上升时间检测电路的电路图

图3是施密特触发器的电路图

图4是主放电MOS管栅压控制的电路图

图5是主放电MOS管的原理图

具体实施方式