[发明专利]RFMEMS滤波器及其制备方法在审
| 申请号： | 201810014898.6 | 申请日： | 2018-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN107979353A | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 汪泉;张树民;王国浩 | 申请（专利权）人： | 杭州左蓝微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/46 | 分类号： | H03H9/46 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理事务所(普通合伙)11226 | 代理人： | 常玉明,张兰海 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | rfmems 滤波器 及其 制备 方法 | ||
1.一种RF MEMS滤波器，其特征在于，包括：
第一压电层；
设置在所述第一压电层上的金属电极；
填充于所述金属电极之间的介质层；以及
设置于所述金属电极和所述介质层上的第二压电层。
2.根据权利要求1所述的RF MEMS滤波器，其特征在于，还包括位于所述第二压电层上的温度补偿层。
3.根据权利要求1所述的RF MEMS滤波器，其特征在于，所述金属电极的材料为钨、银、锆、钼、铂白金、钌、铱、钛钨、铜、钛、铬、铪、铝之一或者组合。
4.根据权利要求1所述的RF MEMS滤波器，其特征在于，填充于所述金属电极之间的介质层材质包括二氧化硅、氮化硅或者其他绝缘材料。
5.根据权利要求2所述的RF MEMS滤波器，其特征在于，所述温度补偿层为二氧化硅或二氧化硅的掺杂薄膜。
6.一种RF MEMS滤波器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在第一压电层上沉积金属电极层、并图形化；
沉积介质填充层，所述介质填充层填充于所述图形化的金属电极之间；
沉积第二压电层并图形化。
7.根据权利要求6所述的RF MEMS滤波器的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：
通过化学机械抛光研磨(CMP)工艺将所述介质填充层磨平，使其与所述金属电极具有相同的高度。
8.根据权利要求6所述的RF MEMS滤波器的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：
在所述第二压电层上沉积温度补偿层并图形化。
9.根据权利要求6所述的RF MEMS滤波器的制备方法，其特征在于，所述第一压电层为压电基板或者沉积在其它衬底材料上的压电薄膜。
10.根据权利要求6所述的RF MEMS滤波器的制备方法，其特征在于，所述第一压电层和/或所述第二压电层的材质为铌酸锂、钽酸锂、氮化铝、锆钛酸铅、氧化锌之一或其组合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州左蓝微电子技术有限公司，未经杭州左蓝微电子技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810014898.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种低噪声微波放大器电路
- 下一篇：一种维持固定脉冲的时钟同步电路
