[发明专利]流量控制方法及装置、反应腔室

说明书

本发明提供了一种流量控制方法及装置、反应腔室，其通过向其中一个工艺腔室的第二控制单元发送工艺使能信号，并使第二控制单元根据工艺使能信号，与第一控制单元联网，以能够通过第二控制单元将目标流量值发送至第一控制单元，从而实现自动控制第一控制单元将公共流路向至少一个进行工艺的工艺腔室中通入的公共流体的流量调节至目标流量值，而无需人工配置，进而提高了控制精确性。

技术领域

本发明属于微电子加工技术领域，具体涉及一种流量控制方法及装置、反应腔室。

背景技术

化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，以下简称CVD)法外延是一种借助空间气相化学反应在衬底表面沉积固态薄膜的一种气相外延生长技术，因具有相关设备简单，生长参数容易控制，重复性好的优点，CVD方法是目前硅外延生长的主要方法。目前的CVD硅外延设备主要有多片和单片两种。对于单片CVD设备而言，具有多个工艺腔室的多腔设备与单腔设备相比，可以实现更高的晶片产量，因此，在目前市场需求不断增长的背景下，单片多腔CVD设备将拥有较大市场。

现有技术提供的一种单片多腔CVD设备，该CVD设备包括流量控制装置，其采用上位机和下位机分层控制的工业控制结构，其中，多台下位机分别控制多个用于进行工艺的工艺腔室，另一台下位机用于控制传输腔室，控制传输腔室TM的下位机还用于控制公共流路。

在上述设备中，由于上位机中的工艺配方只发送给各个用于控制进行工艺的工艺腔室的下位机，而控制传输腔室的下位机并不能获取工艺配方，因此，无法实现对公共流路的流量的自动控制。

为了满足对公共流路的流量控制，需要工作人员在工艺开始前，在上位机中根据工艺配方手动配置每个公共流路中质量流量计的目标流量数值。一旦工作人员出现失误，将会造成整炉报废，造成很大损失。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种流量控制方法及装置、反应腔室，其可以自动配置通入工艺腔室中的公共流体的流量，从而可以提高进入工艺腔室的公共流体的流量精确度。

为解决上述问题之一，本发明提供了一种流量控制方法，用于控制第一控制单元调节公共流路向至少一个进行工艺的工艺腔室中通入的公共流体的流量，其包括：

向其中一个工艺腔室的第二控制单元发送工艺使能信号，第二控制单元用于调节向工艺腔室通入的工艺流体的流量；

第二控制单元根据工艺使能信号，与第一控制单元联网；

向第二控制单元发送公共流体的目标流量值；

第二控制单元将目标流量值发送至第一控制单元；

第一控制单元将公共流路向至少一个进行工艺的工艺腔室中通入的公共流体的流量调节至目标流量值。

其中，在向其中一个工艺腔室的第二控制单元发送工艺使能信号之前，还包括：

判断进行工艺的工艺腔室的数量是否为一个，

若进行工艺的工艺腔室的数量为一个，则读取进行工艺的工艺腔室的序号，并向该工艺腔室的第二控制单元发送工艺使能信号；

若进行工艺的工艺腔室的数量为两个以上，则读取所有进行工艺的工艺腔室的序号，并选择序号最小或最大的工艺腔室作为主站工艺腔室，并向该主站工艺腔室的第二控制单元发送工艺使能信号。

其中，若进行工艺的工艺腔室的数量为两个以上；

向第二控制单元发送公共流体的目标流量值进一步包括：

计算向两个以上进行工艺的工艺腔室通入的同类公共流体的流量值总和；

向第二控制单元发送流量值总和。