[发明专利]一种辨别碳化硅晶片碳硅面的方法有效
| 申请号： | 201810016138.9 | 申请日： | 2018-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN107991230B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 窦瑛;徐永宽;洪颖;杨丹丹;高飞 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | G01N19/00 | 分类号： | G01N19/00 |
| 代理公司： | 12105 天津中环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 辨别 碳化硅 晶片 碳硅面 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种辨别碳化硅晶片碳硅面的方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）、将生长得到的碳化硅晶锭进行平面磨、滚圆加工；
（2）、对滚圆后的晶锭进行定向，确定基准轴方向为<11-20>方向；
（3）、沿<11-20>方向加工一个非对称V型槽；
（4）、对晶锭进行切割、研磨、倒角和抛光加工，制备成晶片；
（5）、加工后的晶片其非对称V型槽形成夹角θ，形成夹角θ的两条斜边分别设为a和b，且两条斜边的长度满足a≠b；
（6）、以两条斜边a＜b还是两条斜边a＞b即可判断出所对应的晶片表面为碳面或是硅面；
所述的非对称V型槽的夹角θ为90°±5°，深度为1mm±0.2mm。
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