[发明专利]杂交蟛蜞菊在治理镉污染水体中的应用及治理方法

权利要求书

1.杂交蟛蜞菊植物在治理镉污染水体中的应用，其特征在于，所述杂交蟛蜞菊为以南美蟛蜞菊Wedelia trilobata(L.)Hitchc为父本、蟛蜞菊Wedelia chinensis(Osbeck.)Merr.为母本杂交产生的新种。

2.根据权利要求1所述应用，其特征在于，所述杂交方式为自然杂交。

3.一种治理镉污染水体的方法，其特征在于，包括如下步骤：使用杂交蟛蜞菊植物浮床吸收镉，所述杂交蟛蜞菊植物浮床为将如权利要求1或2所述的杂交蟛蜞菊移栽定植至镉污染水体上的植床。

4.根据权利要求3所述治理镉污染水体的方法，其特征在于，所述杂交蟛蜞菊植物浮床的主体为杂交蟛蜞菊，载体为高密度聚乙烯。

5.根据权利要求3所述治理镉污染水体的方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、采集杂交蟛蜞菊，去除叶片，将茎修剪为长10±2cm的小段，每段保证具有两个节间，将其形态学下端的节间置于ABT生根粉溶液中浸泡4-5h，取出后转移至水中待其生根发芽；

S2、长出芽和根段2-3cm时将杂交蟛蜞菊幼苗转移至Hoagland营养液中培养，每3-5天换一次营养液，培育时间20-30天至杂交蟛蜞菊生长出3-4对叶片；

S3、将培育好的杂交蟛蜞菊移栽定植至镉污染水体上的植床，组建杂交蟛蜞菊植物浮床，并确保根系浸在水体中；

S4、移植至30-40天时，将整株杂交蟛蜞菊从植物浮床上移走；

S5、重复1-4步骤，即实现镉污染水体的修复。

6.根据权利要求3所述治理镉污染水体的方法，其特征在于，所述镉污染水体中镉含量为不超过200μmol/L。

7.根据权利要求5所述治理镉污染水体的方法，其特征在于，步骤S3为：将培育好的杂交蟛蜞菊移栽定植至浓度为200μmol/L污染水体的植床上，组建并固定杂交蟛蜞菊植物浮床，并确保根系完全浸在水体中，所述浮床相邻之间保证100cm-150cm的间距，确保杂交蟛蜞菊根系有充足的氧气供应。

8.根据权利要求5所述治理镉污染水体的方法，其特征在于，步骤S4还包括对移走的杂交蟛蜞菊进行无害化处理。

9.根据权利要求8所述治理镉污染水体的方法，其特征在于，所述无害化处理为焚烧或压缩后做无害化填埋。