[发明专利]非易失性存储器件及其高压开关电路

权利要求书

1.一种包括多个存储块的非易失性存储器件的高压开关电路，所述高压开关电路包括：

高压n沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管，基于编程启动电压而导通，并且向所述多个存储块中的第一存储块传送编程电压；

逻辑，基于使能信号和开关控制信号来产生路径选择信号，所述开关控制信号基于所述非易失性存储器件的操作参数或针对所述第一存储块的至少一部分的存取地址之一，在所述第一存储块上的编程操作期间激活所述使能信号；以及

高压开关，用于基于所述路径选择信号经由多个传送路径之一来向所述高压NMOS晶体管的栅极传送所述编程启动电压。

2.根据权利要求1所述的高压开关电路，其中所述高压开关用于消除由所述编程启动电压产生的负偏置温度不稳定的影响，以及

其中所述高压开关包括：

耗尽型NMOS晶体管，具有用于接收所述编程启动电压的第一电极以及连接到与所述高压NMOS晶体管的栅极连接的第一节点的栅极；

第一高压p沟道金属氧化物半导体PMOS晶体管，具有在第二节点处与所述耗尽型NMOS晶体管的第二电极连接的第一电极、连接到所述第一节点的第二电极以及用于接收所述选择信号的第一路径选择信号的栅极；以及

第二高压PMOS晶体管，具有在所述第二节点处与所述耗尽型NMOS晶体管的所述第二电极连接的第一电极、连接到所述第一节点的第二电极以及用于接收所述选择信号的第二路径选择信号的栅极。

3.根据权利要求2所述的高压开关电路，其中：

所述第一高压PMOS晶体管和所述第二高压PMOS晶体管并联连接在所述第一节点和所述第二节点之间，

所述第一高压PMOS晶体管的本体连接到所述第一高压PMOS晶体管的所述第一电极，以及

所述第二高压PMOS晶体管的本体连接到所述第二高压PMOS晶体管的所述第一电极。

4.根据权利要求1所述的高压开关电路，其中：

所述开关控制信号用于反映所述存取地址，并且

所述逻辑包括：

第一NAND门，用于基于所述使能信号和所述存取地址的至少一个比特来输出第一路径选择信号，其中在所述至少一个比特具有第一逻辑电平时激活所述第一路径选择信号；以及

第二NAND门，用于基于所述使能信号和所述至少一个比特来输出第二路径选择信号，其中当所述至少一个比特具有与所述第一逻辑电平不同的第二逻辑电平时激活所述第二路径选择信号。

5.根据权利要求4所述的高压开关电路，其中所述存取地址与用于选择所述存储块之一的块地址或用于选择所述第一存储块中的多个页之一的页地址相对应。

6.根据权利要求1所述的高压开关电路，其中：

所述开关控制信号用于反映所述操作参数，

所述操作参数与所述第一存储块的编程/擦除周期相对应，

所述逻辑包括：

第一NAND门，用于基于所述使能信号和第一开关控制信号来输出第一路径选择信号，其中当所述第一开关控制信号表示所述编程/擦除周期属于第一范围时激活所述第一路径选择信号；以及

第二NAND门，用于基于所述使能信号和第二开关控制信号来输出第二路径选择信号，其中当所述第二开关控制信号表示所述编程/擦除周期属于比所述第一范围大的第二范围时激活所述第二路径选择信号。

7.根据权利要求6所述的高压开关电路，其中：

所述逻辑用于当所述编程/擦除周期属于比所述第二范围大的第三范围时激活所述第一路径选择信号，并且

所述逻辑用于当所述编程/擦除周期属于比所述第三范围大的第四范围时激活所述第二路径选择信号。