[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成第一氧化物层；

在第一氧化物层上形成第一氮化物层；

在第一氮化物层上形成第二氧化物层；

在第二氧化物层上形成第二氮化物层；

在第二氮化物层上形成多晶硅层；

在多晶硅层上形成第三氮化物层；

在第三氮化物层上形成多个第一图案；

将多个第一图案转印到多晶硅层以形成多个多晶硅图案；

使用多个多晶硅图案作为掩模去除第一氧化物层、第一氮化物层、第二氧化物层和第二氮化物层的一部分以形成竖直结构；

在竖直结构的外表面上形成氧化物侧墙；

在氧化物侧墙上形成第一氮化物侧墙；

当在氧化物侧墙上形成第一氮化物侧墙之后，去除氧化物侧墙或第一氮化物侧墙的至少一部分；以及

在竖直结构的外表面上形成第二氮化物侧墙。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成多个第一图案包括：在第一牺牲图案的侧壁上形成多个侧墙并去除第一牺牲图案。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，第一图案之间的距离与第一牺牲图案的宽度相同。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

将多个第一图案转印到第二氮化物层以形成多个第二氮化物图案；以及

使用多个第二氮化物图案作为掩模来去除衬底的一部分。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，将多个第一图案转印到第二氮化物层包括：蚀刻第二氮化物层的一部分。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，去除第一氧化物层、第一氮化物层、第二氧化物层和第二氮化物层的所述部分包括：使用多个多晶硅图案作为掩模在竖直方向上去除所述部分。

7.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一牺牲图案包括多晶硅、非晶碳、旋涂硬掩模、光刻胶或其组合之一。

8.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

形成从衬底延伸的沟道；

在沟道上顺序地形成第一氧化物层、第一氮化物层、第二氧化物层和第二氮化物层以形成竖直结构；

在竖直结构的外表面上形成氧化物侧墙；

在氧化物侧墙上形成第一氮化物侧墙；

当在氧化物侧墙上形成第一氮化物侧墙之后，去除氧化物侧墙或第一氮化物侧墙的至少一部分；以及

在竖直结构的外表面上形成第二氮化物侧墙。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成第二氮化物侧墙包括：在竖直结构的第二氮化物层上形成第二氮化物侧墙。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，去除氧化物侧墙或第一氮化物侧墙的所述至少一部分是当在衬底中形成一个或多个凹部时发生的。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，去除氧化物侧墙或第一氮化物侧墙的所述至少一部分包括：使用干法蚀刻或湿法蚀刻之一来蚀刻氧化物侧墙或第一氮化物侧墙的所述至少一部分。

12.根据权利要求8所述的方法，还包括：

当在竖直结构上形成第二氮化物侧墙之后，去除氧化物侧墙、第一氮化物侧墙或第二氮化物侧墙的至少一部分。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，去除氧化物侧墙、第一氮化物侧墙或第二氮化物侧墙的所述至少一部分是当在衬底中形成一个或多个凹部时发生的。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，去除氧化物侧墙、第一氮化物侧墙或第二氮化物侧墙的所述至少一部分包括：使用干法蚀刻或湿法蚀刻之一来蚀刻氧化物侧墙、第一氮化物侧墙或第二氮化物侧墙的所述至少一部分。