[发明专利]一种钙钛矿纳米单晶的定向转移方法及其转移装置在审
申请号: | 201810017489.1 | 申请日: | 2018-01-09 |
公开(公告)号: | CN108588831A | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | 王逸伦;叶堉;戴伦;徐晓龙 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | C30B29/12 | 分类号: | C30B29/12;C30B25/18;C23C16/30;C23C16/01;C23C16/56;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人: | 王岩 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钙钛矿 纳米材料 衬底 生长 纳米单晶 转移装置 纳米材料制备 三维移动平台 太阳能电池 载玻片固定 衬底接触 技术难点 柔性器件 三维移动 激光器 载玻片 载物台 载物 显微镜 粘贴 | ||
1.一种钙钛矿纳米单晶的定向转移方法,其特征在于,所述定向转移方法包括以下步骤:
1)提供柔性生长衬底;
2)控制压力、温度和时间,利用化学气相淀积CVD法在柔性生长衬底的正面生长钙钛矿纳米材料;
3)在显微镜下,按照实际需要挑选出满足要求的钙钛矿纳米材料,并记录其在柔性生长衬底上的位置;
4)将生长了钙钛矿纳米材料的柔性生长衬底的背面粘贴在透明的载玻片上,并将载玻片固定在三维移动台上,生长了钙钛矿纳米材料的一面朝下;
5)将目标衬底放置在显微镜的能够三维移动的载物台上,通过调节载物台垂直移动,使目标衬底位于显微镜的物镜的焦平面上,并通过调节载物台的水平移动,找到目标衬底上的指定位置;
6)下移载物台,将目标衬底偏离焦平面,此时能看到目标衬底的指定位置模糊的图像;
7)调节三维移动台,将满足要求的钙钛矿纳米材料在垂直方向上位于物镜的焦平面并且水平位置正对目标衬底的指定位置;
8)上移载物台或者下移三维移动台,使得目标衬底的指定位置与满足要求的钙钛矿纳米材料接触;
9)平稳上移三维移动台或者下移载物台,将柔性生长衬底与目标衬底分离,钙钛矿纳米材料在柔性生长衬底上成核生长,二者之间没有成键,从而将满足要求的钙钛矿纳米材料定向转移至目标衬底的指定位置。
2.如权利要求1所述的定向转移方法,其特征在于,在步骤1)中,柔性生长衬底采用聚二甲基硅氧烷PDMS、聚对苯二甲酸乙二醇酯PET、氧化铟锡ITO和聚萘二甲酸乙二醇酯PEN中的一种。
3.如权利要求2所述的定向转移方法,其特征在于,制备聚二甲基硅氧烷的柔性生长衬底包括以下步骤:
a)将PDMS的基本组分与固化剂按照1:1~20:1的比例配比,充分混合;
b)加热固化形成PDMS;
c)将固化的PDMS裁剪成需要的尺寸。
4.如权利要求1所述的定向转移方法,其特征在于,在步骤2)中,利用化学气相淀积CVD法在柔性生长衬底的正面生长钙钛矿纳米材料的条件为:在常压或者低压1pa~100kpa条件下;生长温度为200~700℃;生长时间为1~60分钟。
5.如权利要求1所述的定向转移方法,其特征在于,在步骤3)中,采用显微镜拍照的方式记录满足要求的钙钛矿纳米材料在柔性生长衬底上的位置。
6.如权利要求1所述的定向转移方法,其特征在于,在步骤4)中,载玻片采用玻璃、石英和云母中的一种。
7.如权利要求1所述的定向转移方法,其特征在于,在步骤5)中,目标衬底采用二氧化硅SiO2或硅Si。
8.一种钙钛矿纳米单晶的定向转移装置,其特征在于,所述定向转移装置包括:柔性生长衬底、载玻片、三维移动台和显微镜;其中,在柔性生长衬底的正面成核生长钙钛矿纳米材料,在显微镜下记录满足要求的钙钛矿纳米材料的位置;生长了钙钛矿纳米材料的柔性生长衬底的背面粘贴在透明的载玻片上;所述载玻片固定在三维移动台上,生长了钙钛矿纳米材料的一面朝下;目标衬底放置在显微镜的载物台上,所述载物台能够三维移动,通过载物台垂直移动,使得目标衬底位于显微镜的物镜的焦平面上,并通过载物台的水平移动,找到目标衬底上的指定位置;通过载物台下移,使得目标衬底偏离焦平面;通过调节三维移动台,使得满足要求的钙钛矿纳米材料在垂直方向上位于物镜的焦平面并且水平位置正对目标衬底的指定位置;通过载物台上移或者三维移动台下移,使得目标衬底接触钙钛矿纳米材料,之后目标衬底与柔性生长衬底分开,钙钛矿纳米材料在柔性生长衬底上成核生长,二者之间没有成键,从而钙钛矿纳米材料定向转移至目标衬底的指定位置。
9.如权利要求8所述的向转移装置,其特征在于,所述柔性生长衬底采用聚二甲基硅氧烷PDMS、聚对苯二甲酸乙二醇酯PET、氧化铟锡ITO和聚萘二甲酸乙二醇酯PEN中的一种。
10.如权利要求8所述的向转移装置,其特征在于,所述载玻片采用玻璃、石英和云母中的一种;所述目标衬底采用二氧化硅SiO2或硅Si。
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