[发明专利]光学扩散膜及其制备方法有效
申请号: | 201810017975.3 | 申请日: | 2013-11-19 |
公开(公告)号: | CN108051879B | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | 特里·D·彭;史蒂文·H·贡;张海燕;约瑟夫·T·阿伦森;迈克尔·R·利夫;加里·T·博伊德;尼古拉斯·A·约翰逊;王庆兵 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
主分类号: | G02B5/02 | 分类号: | G02B5/02 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾红霞;龙涛峰 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 扩散 及其 制备 方法 | ||
1.一种光学膜,包含:
结构化主表面,所述结构化主表面包含密集堆积结构,所述密集堆积结构被布置成使得在相邻结构之间形成脊,所述密集堆积结构沿两个正交平面内方向的尺寸受到限制;
其中所述结构化主表面具有通过与相应的第一正交平面内方向和第二正交平面内方向相关联的第一傅立叶功率谱和第二傅立叶功率谱来表征的形貌,并且其中
就所述第一傅立叶功率谱包括不对应于零频率并且由限定第一基线的两个相邻谷界定的一个或多个第一频率峰来说,任一个此类第一频率峰具有小于0.8的第一峰比率,所述第一峰比率等于所述第一频率峰与所述第一基线之间的面积除以所述第一频率峰下方的面积;并且
就所述第二傅立叶功率谱包括不对应于零频率并且由限定第二基线的两个相邻谷界定的一个或多个第二频率峰来说,任一个此类第二频率峰具有小于0.8的第二峰比率,所述第二峰比率等于所述第二频率峰与所述第二基线之间的面积除以所述第二频率峰下方的面积;并且
其中所述结构化主表面通过平面图中小于200mm/mm2的每单位面积的脊总长度来表征。
2.根据权利要求1所述的光学膜,其中所述结构化主表面不包含珠。
3.一种光学膜,包含:
结构化主表面,所述结构化主表面包含密集堆积结构,所述结构化主表面限定基准平面和垂直于所述基准平面的厚度方向;
其中所述结构化主表面具有通过与相应的第一正交平面内方向和第二正交平面内方向相关联的第一傅立叶功率谱和第二傅立叶功率谱来表征的形貌,并且其中
就所述第一傅立叶功率谱包括不对应于零频率并且由限定第一基线的两个相邻谷界定的一个或多个第一频率峰来说,任一个此类第一频率峰具有小于0.8的第一峰比率,所述第一峰比率等于所述第一频率峰与所述第一基线之间的面积除以所述第一频率峰下方的面积;并且
就所述第二傅立叶功率谱包括不对应于零频率并且由限定第二基线的两个相邻谷界定的一个或多个第二频率峰来说,任一个此类第二频率峰具有小于0.8的第二峰比率,所述第二峰比率等于所述第二频率峰与所述第二基线之间的面积除以所述第二频率峰下方的面积;
其中所述密集堆积结构通过所述基准平面中的等效圆直径(ECD)和沿所述厚度方向的平均高度来表征,并且其中每个结构的纵横比等于所述结构的所述平均高度除以所述结构的所述等效圆直径;并且
其中所述密集堆积结构的平均纵横比小于0.15。
4.一种光学膜,包含:
结构化主表面,所述结构化主表面包含密集堆积结构,所述密集堆积结构具有弯曲的基部表面;
其中所述结构化主表面具有通过与相应的第一正交平面内方向和第二正交平面内方向相关联的第一傅立叶功率谱和第二傅立叶功率谱来表征的形貌,并且其中
就所述第一傅立叶功率谱包括不对应于零频率并且由限定第一基线的两个相邻谷界定的一个或多个第一频率峰来说,任一个此类第一频率峰具有小于0.8的第一峰比率,所述第一峰比率等于所述第一频率峰与所述第一基线之间的面积除以所述第一频率峰下方的面积;并且
就所述第二傅立叶功率谱包括不对应于零频率并且由限定第二基线的两个相邻谷界定的一个或多个第二频率峰来说,任一个此类第二频率峰具有小于0.8的第二峰比率,所述第二峰比率等于所述第二频率峰与所述第二基线之间的面积除以所述第二频率峰下方的面积;并且
其中所述结构化主表面提供小于95%的光学雾度。
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