[发明专利]非易失性存储器

权利要求书

1.非易失性存储器，具有第一存储单元，所述第一存储单元包括：

第一晶体管，具有第一栅极、第一端与第二端；

第二晶体管，具有第二栅极、第三端与第四端；

第三晶体管，具有第三栅极、第五端与第六端；

第四晶体管，具有第四栅极、第七端与第八端；

第五晶体管，具有第五栅极、第九端与第十端；以及

第一电容器，连接于所述第三栅极与控制线之间；

其中，所述第三栅极为浮动栅极，所述第二端连接至所述第三端，所述第四端连接至所述第五端，所述第六端连接至所述第七端，所述第八端连接至所述第九端；

其中，所述第一端连接至位线，所述第十端连接至第一源极线，所述第一栅极连接至第一字线，所述第二栅极连接至第一辅助线，所述第四栅极连接至第二辅助线以及所述第五栅极连接至第二字线。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管与所述第五晶体管均为n型晶体管。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中，所述第一存储单元还包括第二电容器，连接于所述第三栅极与抹除线之间。

4.根据权利要求3所述的非易失性存储器，其中，所述第一电容器由第六晶体管所组成，所述第二电容器由第七晶体管所组成，所述第六晶体管具有第六栅极、第十一端与第十二端，所述第七晶体管具有第七栅极、第十三端与第十四端，所述第六栅极与所述第七栅极均连接至所述第三栅极，所述第十一端与所述十二端均连接至所述控制线，所述第十三端与所述第十四端均连接至所述抹除线。

5.根据权利要求4所述的非易失性存储器，其中，所述第三晶体管、第六晶体管与所述第七晶体管的栅极氧化层均为第一厚度。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器，其中，所述第一晶体管与所述第五晶体管的栅极氧化层均为第二厚度，所述第二晶体管与所述第四晶体管的栅极氧化层均为所述第一厚度，且所述第一厚度大于所述第二厚度。

7.根据权利要求3所述的非易失性存储器，其中，于编程动作时，提供编程电压至所述控制线与所述抹除线，提供第一电压至所述第二字线，提供第二电压至所述第二辅助线，提供第三电压至所述第一字线，提供第四电压至所述第一辅助线，提供接地电压至所述位线与所述源极线，所述编程电压大于所述第二电压，所述第二电压等于所述第四电压，所述第一电压等于所述第三电压，所述第二电压大于等于所述第一电压，且所述第一电压大于所述接地电压。

8.根据权利要求3所述的非易失性存储器，其中，于编程抑制动作时，提供编程电压至所述控制线与所述抹除线，提供第一电压至所述第二字线，提供第二电压至所述第二辅助线，提供第三电压至所述第一字线，提供第四电压至所述第一辅助线，提供第五电压至所述位线，提供第六电压至所述源极线，所述编程电压大于所述第二电压，所述第二电压等于所述第四电压，所述第一电压等于所述第三电压，所述第五电压等于所述第六电压，所述第二电压大于等于所述第一电压，所述第一电压大于等于所述第五电压。

9.根据权利要求3所述的非易失性存储器，其中，于抹除动作时，提供抹除电压至所述抹除线，提供第一电压至所述第二字线，提供第二电压至所述第二辅助线，提供第三电压至所述第一字线，提供第四电压至所述第一辅助线，提供接地电压至所述控制线、所述位线与所述源极线，所述抹除电压大于所述第二电压，所述第二电压等于所述第四电压，所述第一电压等于所述第三电压，所述第二电压大于等于所述第一电压，且所述第一电压大于所述接地电压。