[发明专利]一种变斜率驱动电路有效
| 申请号： | 201810018254.4 | 申请日： | 2018-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN108092651B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 周泽坤;李颂;孙汉萍;张家豪;石跃;王卓;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03K17/16 | 分类号： | H03K17/16;H03K17/567 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 斜率 驱动 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种变斜率驱动电路，其特征在于，包括第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第一PMOS管(MP1)、第一NPN型三极管(QN1)、第一PNP型三极管(QP1)、第二PNP型三极管(QP2)和电阻(R)，
第三NMOS管(MN3)的栅极连接使能信号(VQ)，其漏极连接第一NPN型三极管(QN1)的基极和第一PNP型三极管(QP1)的集电极并通过电阻(R)后连接第一PNP型三极管(QP1)和第二PNP型三极管(QP2)的发射极，其源极连接第一NPN型三极管(QN1)的发射极并接地(GND)；
第一PNP型三极管(QP1)的基极连接第二PNP型三极管(QP2)的基极和第二PNP型三极管(QP2)的集电极以及第一NPN型三极管(QN1)的集电极；
第一PMOS管(MP1)的栅极连接第一逻辑信号(VE)，其源极作为所述驱动电路的输入端，其漏极连接第一NMOS管(MN1)的源极、第二NMOS管(MN2)的漏极和第一PNP型三极管(QP1)的发射极并作为所述驱动电路的输出端；
第一NMOS管(MN1)的栅极连接第二逻辑信号(VF)，其漏极连接所述驱动电路的输入端；
第二NMOS管(MN2)的栅极连接第一逻辑信号(VE)，其源极接地(GND)；
所述第一逻辑信号(VE)和第二逻辑信号(VF)互补。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810018254.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种互斥开关电路
- 下一篇：一种固态继电器及固态继电器的控制方法、系统
