[发明专利]一种CMOS亚阈值基准电压源有效
| 申请号： | 201810018374.4 | 申请日： | 2018-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN108205353B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 周泽坤;袁*东;石跃;李响;石旺;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 负温度系数电压 产生电路 自偏置 正温度系数电压产生电路 阈值基准电压 支路 基准电压 温度系数 高阶 正温度系数电压 模拟集成电路 电路初始化 亚阈值斜率 工作电压 静态功耗 偏置电流 启动电路 温度特性 栅源电压 阈值电压 零状态 迁移率 偏置 叠加 电路 输出 引入 退出 脱离 | ||
1.一种CMOS亚阈值基准电压源，其特征在于，包括启动电路、自偏置负温度系数电压产生电路和正温度系数电压产生电路，
所述启动电路用于在初始化阶段使所述基准电压源电路脱离零状态，启动完成后退出；
所述自偏置负温度系数电压产生电路包括第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)、第六PMOS管(MP6)、第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)和第三NMOS管(MN3)，
第三PMOS管(MP3)的漏极连接第一NMOS管(MN1)的栅极和第六PMOS管(MP6)的源极并连接所述启动电路的输出端，其栅极连接第四PMOS管(MP4)的栅极和漏极以及第一NMOS管(MN1)的漏极并输出偏置电流至所述正温度系数电压产生电路的第一输入端，其源极连接第四PMOS管(MP4)的源极并连接电源电压(VCC)；
第二NMOS管(MN2)的栅漏短接并连接第一NMOS管(MN1)的源极，其源极连接第三NMOS管(MN3)的栅极和漏极并输出负温度系数电压(VCTAT)至所述正温度系数电压产生电路的第二输入端；
第三NMOS管(MN3)的源极以及第六PMOS管(MP6)的栅极和漏极接地(GND)；
所述正温度系数电压产生电路用于产生正温度系数电压(VPTAT)并叠加所述负温度系数电压(VCTAT)产生基准电压(VREF)；
所述正温度系数电压产生电路包括第四NMOS管(MN4)、第五NMOS管(MN5)和第五PMOS管(MP5)，
第五PMOS管(MP5)的栅极作为所述正温度系数电压产生电路的第一输入端，其漏极连接第四NMOS管(MN4)的栅极和漏极以及第五NMOS管(MN5)的栅极，其源极连接电源电压(VCC)；
第五NMOS管(MN5)的漏极连接第四NMOS管(MN4)的源极并作为所述正温度系数电压产生电路的输出端，其源极作为所述正温度系数电压产生电路的第二输入端；
所述第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)、第五PMOS管(MP5)、第六PMOS管(MP6)、第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第四NMOS管(MN4)和第五NMOS管(MN5)工作在亚阈值区。
2.根据权利要求1所述的CMOS亚阈值基准电压源，其特征在于，所述启动电路包括第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)和第六NMOS管(MNC)，
第二PMOS管(MP2)的栅极连接第一PMOS管(MP1)的漏极和第六NMOS管(MNC)的栅极，其漏极作为所述启动电路的输出端，其源极连接第一PMOS管(MP1)的源极并连接电源电压(VCC)；第一PMOS管(MP1)的栅极以及第六NMOS管(MNC)的漏极和源极接地(GND)。
3.根据权利要求1所述的CMOS亚阈值基准电压源，其特征在于，所述第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)和第三NMOS管(MN3)的尺寸相同。
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