[发明专利]一种雪花模型生成方法及装置

权利要求书

1.一种雪花模型生成方法，其特征在于，包括：

S1：针对未计算区中的每一个第一节点均执行：创建当前第一节点对应的至少一个节点，并将所述至少一个节点存入欲结晶区，以及将所述当前第一节点从所述未计算区中移出；

S2：针对所述欲结晶区中的每一个第二节点均执行：根据结晶区中的每一个节点，计算当前第二节点的结晶饱和度；判断所述结晶饱和度是否不小于预设饱和度阈值，若是，将所述当前第二节点从所述欲结晶区中移出，并结束当前流程，否则，根据所述当前第二节点的结晶进度，计算所述当前第二节点的结晶耗时；

S3：根据所述欲结晶区中的每一个节点的结晶耗时，确定其中的最小值；

S4：针对所述欲结晶区中的每一个第三节点均执行：判断当前第三节点的结晶耗时是否等于所述最小值，若是，将所述当前第三节点分别移存入所述未计算区和结晶区，否则，更新所述当前第三节点的结晶进度；

S5：判断当前是否达到预设展示条件，若是，根据所述结晶区中的每一个节点，生成雪花模型，否则，执行S1。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述S1中，所述创建当前第一节点对应的至少一个节点，包括：基于预设的3个辅轴，创建当前第一节点对应的至少一个节点；

其中，所述3个辅轴位于同一平面，且任意相邻的两个所述辅轴间的夹角为60°；

所述当前第一节点与所述至少一个节点中的每一个节点间的距离相等。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述S2中，所述计算当前第二节点的结晶饱和度，包括：基于公式一，计算当前第二节点的结晶饱和度；

所述公式一包括：

其中，B为所述当前第二节点的结晶饱和度；n为预设结晶层数；N_i为所述结晶区中，所述当前第二节点附近的第i层结晶层上的节点个数；k(i)为所述第i层结晶层的饱和度权重，其中，i为自变量，k(i)为因变量；

和/或，

进一步包括：根据公式二，计算所述预设饱和度阈值；

所述公式二包括：

其中，F为所述预设饱和度阈值；f为位于区间[0，1]中的任一随机浮点数；m为种子节点的预设最大结晶层数；q为所述种子节点的任一层结晶的理论轴数；k(j)为所述种子节点的第j层结晶层的饱和度权重，其中，j为自变量，k(j)为因变量；

和/或，

所述S2中，所述计算所述当前第二节点的结晶耗时，包括：基于公式三，计算所述当前第二节点的结晶耗时；

所述公式三包括：

T＝Y×B

其中，T为所述当前第二节点的结晶耗时，Y为所述当前第二节点的结晶进度，B为所述当前第二节点的结晶饱和度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述S4中，所述更新所述当前第三节点的结晶进度，包括：基于公式四，计算所述当前第三节点的结晶进度，并将所述当前第三节点的结晶进度更新为计算出的结晶进度；

所述公式四，包括：

其中，P为计算出的所述当前第三节点的结晶进度，1为统一预定的结晶进度初始值，t_min为所述最小值，B′为所述当前第三节点的结晶饱和度。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在所述S1之前，进一步包括：将种子节点分别存入所述未计算区和所述结晶区，确定所述种子节点的展示坐标；

所述S1中，进一步包括：根据所述当前第一节点的展示坐标，确定所述至少一个节点中的每一个节点的展示坐标；

所述S5，包括：判断所述S4的执行次数是否达到预设次数，若是，根据所述结晶区中的每一个节点的展示坐标，将所述结晶区的每一个节点对应展示在图形上，以形成相应的雪花模型，否则，执行S1。