[发明专利]存储设备及其刷新方法有效

专利信息
申请号: 201810019422.1 申请日: 2018-01-09
公开(公告)号: CN108288482B 公开(公告)日: 2023-05-23
发明(设计)人: 崔洹准;梁熙甲 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C11/406 分类号: G11C11/406
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张泓;钱大勇
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储 设备 及其 刷新 方法
【说明书】:

一种存储设备包括:存储单元阵列,包括多个存储单元行;温度传感器,检测存储单元阵列的温度并生成内部温度数据;第一寄存器,存储从存储设备外部接收的外部温度数据;以及刷新控制单元,通过比较内部温度数据和外部温度数据来确定以与外部温度数据对应的刷新频率接收的刷新命令的跳过率,并且响应于基于跳过率跳过和发送的刷新命令对多个存储单元行执行刷新操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年1月9日向韩国知识产权局提交的第10-2017-0002981号韩国专利申请的优先权,其内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开的实施例针对一种存储设备及其刷新方法。

背景技术

存储设备执行刷新操作以维持存储在存储单元中的数据。刷新操作消耗电力,因为存储单元所需的电荷再次被充电。为了降低刷新操作的功耗,刷新操作可以基于温度而被不同地执行。然而,由于每个存储设备的不同物理特性、放置位置等,不同存储设备的操作可能具有不同的温度依赖性。

发明内容

本公开的实施例可以响应于每个存储设备的温度来执行刷新操作。

此外,本公开的实施例可以适当地响应于存储设备的快速温度升高。

此外,即使干扰集中在存储设备的特定单元中,本公开的实施例也执行刷新操作。

本公开的示例性实施例提供了一种存储设备,包括:存储单元阵列,包含多个存储单元行;温度传感器,检测存储单元阵列的温度并生成内部温度数据;第一寄存器,存储从存储设备外部接收的外部温度数据;以及刷新控制单元,通过比较内部温度数据和外部温度数据来确定以与外部温度数据对应的刷新频率接收的刷新命令的跳过率,并且响应于基于跳过率跳过和发送的刷新命令对多个存储单元行执行刷新操作。

本公开的另一示例性实施例提供了一种刷新存储设备的方法,所述存储设备包括存储单元阵列,所述存储单元阵列包括多个存储单元行,所述方法包括:存储从存储器控制器接收的外部温度数据;确定对应于外部温度数据的刷新时段;以及响应于从存储器控制器接收的刷新命令,基于与刷新时段对应的比率,输出多个存储单元行地址或多个存储单元行地址中的至少一个弱单元行地址,其中,存储单元阵列的弱单元行具有比存储单元阵列的正常单元行更短的数据保持时间。

本公开的另一示例性实施例提供了一种存储系统,包括:多个存储设备,每个存储设备包括:存储单元阵列,包含多个存储单元行,和温度传感器,通过检测存储单元阵列的温度生成内部温度数据;以及存储器控制器,从多个存储设备接收内部温度数据,并且以与内部温度数据的最高温度对应的频率向多个存储设备输出用于刷新多个存储单元行的刷新命令。

本公开的另一示例性实施例提供了一种存储设备,包括:存储单元阵列,包含多个存储单元行;温度传感器,检测存储单元阵列的温度并生成第一刷新率数据;第一寄存器,存储从存储设备的外部接收的第二刷新速率数据;以及刷新控制单元,基于比较第一刷新率数据和第二刷新率数据的结果,响应于接收的刷新命令,对多个存储单元行执行刷新操作。

本公开的另一示例性实施例提供了一种存储设备,包括:存储单元阵列,包括多个存储单元行,其中,存储单元行包括正常存储单元行和具有比正常存储单元行更短的数据保持时间的弱存储单元行;第一寄存器,存储从存储设备的外部接收的外部温度数据;以及刷新控制单元,通过比较存储单元阵列的内部温度数据和外部温度数据并且响应于基于跳过率跳过并执行的刷新命令对多个存储单元执行刷新操作,来确定以与外部温度数据对应的刷新频率接收的刷新命令的跳过率,其中,响应于接收的刷新命令中的至少一个对至少一个弱单元行执行刷新操作。

根据本公开的示例性实施例,可以减少刷新操作的功耗。

根据本公开的示例性实施例,可以提高存储在存储单元中的数据的安全性。

附图说明

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