[发明专利]半导体发光结构及半导体封装结构

说明书

本发明公开了一种半导体发光结构，包括一磊晶结构、一N型电极垫、一P型电极垫以及一绝缘层。N型电极垫与P型电极垫相间隔地设置于磊晶结构上，其中P型电极垫具有一第一上表面。绝缘层设置于磊晶结构上且位于N型电极垫与P型电极垫之间，其中绝缘层具有一第二上表面。P型电极垫的第一上表面与绝缘层的第二上表面共平面。

本发明专利申请是申请日为2014年10月9日，申请号为201410527562.1的名为“半导体发光结构及半导体封装结构”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种半导体发光结构及半导体封装结构，特别是涉及一种可有效强化磊晶结构的半导体发光结构及半导体封装结构。

背景技术

目前，薄膜覆晶式发光二极管的制造方法是先在基板上形成磊晶结构，然后在磊晶结构上分别形成N型电极以及P型电极，而形成一半导体发光结构。进一步，将此半导体发光结构接合于承载座上，使得半导体发光结构的N型电极与P型电极分别电性连接于承载座的N型接合垫与P型接合垫。最后，再以雷射剥离技术移除基板，而形成薄膜覆晶式发光二极管。然而，由于磊晶结构为一薄层结构，在以雷射剥离技术移除基板时，磊晶结构经常会因受应力而破裂，使得薄膜覆晶式发光二极管的制造良率降低，进而增加制造成本。

发明内容

本发明提供一种可有效强化磊晶结构的半导体发光结构及半导体封装结构，以解决上述的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供的一种技术方案是：提供一种半导体发光结构包括一磊晶结构、一N型电极垫、一P型电极垫以及一绝缘层。N型电极垫与P型电极垫相间隔地设置于磊晶结构上，其中P型电极垫具有一第一上表面。绝缘层设置于磊晶结构上且位于N型电极垫与P型电极垫之间，其中绝缘层具有一第二上表面。P型电极垫的第一上表面与绝缘层的第二上表面共平面。

其中，N型电极垫具有一第三上表面，其中P型电极垫的第一上表面、绝缘层的第二上表面与N型电极垫的部分第三上表面共平面。

其中，N型电极垫具有一第三上表面，其中P型电极垫的第一上表面、绝缘层的第二上表面与N型电极垫的第三上表面共平面。

其中，半导体发光结构进一步包括一增高垫，设置于磊晶结构上且位于N型电极垫与P型电极垫之间，其中绝缘层包覆增高垫。

其中，半导体发光结构进一步包括一基板，其中磊晶结构形成于基板上。

为解决上述技术问题，本发明提供的另一种技术方案是：提供一种半导体封装结构包括一承载座、一N型接合垫、一P型接合垫以及一如上所述的半导体发光结构。N型接合垫与P型接合垫设置于承载座上，且N型接合垫与该P型接合垫之间存在一凹槽。半导体发光结构的N型电极垫电性连接于N型接合垫，且半导体发光结构的P型电极垫电性连接于P型接合垫。

综上所述，本发明是通过使P型电极垫的上表面与绝缘层的上表面共平面，来强化磊晶结构。通过这种方式，在以雷射剥离技术移除基板时，即可有效避免磊晶结构因受应力而破裂。此外，本发明可使P型电极垫的上表面、绝缘层的上表面与N型电极垫的部分或全部上表面共平面，以进一步强化磊晶结构。再者，本发明可在磊晶结构上设置增高垫且使绝缘层包覆增高垫，以在半导体发光结构成型后，确保P型电极垫的上表面与绝缘层的上表面共平面。

关于本发明的优点与精神可以通过以下的发明详述及所附图式得到进一步的了解。

附图说明

图1为根据本发明第一实施例的半导体发光结构的示意图；

图2为根据本发明第二实施例的半导体发光结构的示意图；

图3为根据本发明第三实施例的半导体发光结构的示意图；

图4为根据本发明第四实施例的半导体发光结构的示意图；