[发明专利]第III-V族/锌硫属化物合金化的半导体量子点

权利要求书

1.一种形成量子点(QD)的方法，所述方法包括：

通过以下方式在分子簇化合物的存在下由第III族前体和第V族前体生长半导体核心：

在第一温度加热第一混合物，所述第一混合物包含溶剂、所述第III族前体和金属簇前体，所述第一温度足以溶解所述第III族前体和所述金属簇前体，

向所述第一混合物添加硫属元素前体以形成第二混合物，

由所述金属簇前体和所述硫属元素簇前体原位形成所述分子簇化合物，以形成第三混合物，所述第三混合物包含所述分子簇化合物和所述第III族前体，

向所述第三混合物添加所述第V族前体，以形成第四混合物，以及

将所述第四混合物的温度从所述第一温度升至足以引发QD核心生长的第二温度。

2.一种形成光致发光InPZnX(X＝S或Se)量子点(QD)核心的方法，所述方法包括：

将肉豆蔻酸铟、肉豆蔻酸和锌盐在第一温度溶解在溶剂中以形成第一混合物；

向所述第一混合物添加烷基或芳基硫醇或烷基或芳基硒醇，以形成第二混合物；

向所述第二混合物添加三(三烷基甲硅烷基)膦，以形成第三混合物；

将所述第三混合物从所述第一温度加热至第二温度；

在所述第二温度向所述第三混合物中加入额外的三(三烷基甲硅烷基)膦，以形成第四混合物；

将所述第四混合物的温度从所述第二温度升至足以引发所述QD核心生长的第三温度；以及

将所述第四混合物在所述第三温度维持至少24小时。

3.一种纳米粒子，所述纳米粒子包含：

核心，所述核心包含第III-V族半导体材料和锌硫属化物；和

硒醇。

4.根据权利要求3所述的纳米粒子，其中所述纳米粒子：

吸收电磁谱的UV或蓝色部中的光；并且

发射电磁谱的红色部中的光。

5.根据权利要求3所述的纳米粒子，其中所述核心包含分子簇化合物。

6.根据权利要求5所述的纳米粒子，其中所述分子簇化合物是[Zn₁₀S₄(S(C₆H₅))₁₆][NH(C₂H₅)₃]₄。

7.根据权利要求6所述的纳米粒子，其中所述纳米粒子：

吸收电磁谱的UV或蓝色部中的光；并且

发射电磁谱的绿色部中的光。

8.根据权利要求3所述的纳米粒子，其中所述第III-V族半导体材料是BN、BP、AlN、AlP、AlAs、A1Sb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs和InSb中的任一种。

9.根据权利要求3所述的纳米粒子，其中所述第III-V族半导体材料是InP。

10.根据权利要求3所述的纳米粒子，其中锌硫属化物是ZnS。

11.根据权利要求3-10中任一项所述的纳米粒子，其中所述硒醇是1-辛烷硒醇。