[发明专利]不含单独二极管膜的三维纵向多次编程存储器在审
| 申请号： | 201810022005.2 | 申请日： | 2018-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN110021610A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 成都海存艾匹科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11578 | 分类号： | H01L27/11578 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二极管 水平地址 存储器 存储 多次编程 地址线 井中 竖直 三维 半导体材料 掺杂类型 垂直堆叠 覆盖存储 边墙 编程 穿透 | ||
1.一种三维纵向多次编程存储器（3D-MTPV），其特征还在于含有：
一含有一衬底电路(0K)的半导体衬底(0)；
多层处于该衬底电路(0K)之上、垂直堆叠的水平地址线(8a-8h)，该水平地址线(8a-8h)含有第一半导体材料；
至少一穿透所述多层水平地址线(8a-8h)的存储井(2a)；
一层覆盖该存储井(2a)边墙的编程膜(6a)，在编程时其电阻可从高电阻态转变为低电阻，或从低电阻转变成高电阻；
一条通过对存储井(2a)填充一导电材料而形成的竖直地址线(4a)，该竖直地址线(4a)含有第二半导体材料；
多个形成在该水平地址线(8a-8h) 与该竖直地址线(4a)交叉处的MTP存储元(1aa-1ha)；
所述第一和第二半导体材料掺杂类型不同。
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征还在于：所述编程膜含有相变（PCM）材料。
3.根据权利要求1所述的存储器，其特征还在于：所述编程膜含有阻变（RRAM）材料。
4.根据权利要求1所述的存储器，其特征还在于：在一个读周期(T)中读出与被选中水平地址线(8a)电耦合的所有MTP存储元(1aa-1ah)存储的信息。
5.根据权利要求2所述的存储器，其特征还在于：在所述读周期(T)中，被选中水平地址线(8a)上的电压为读电压（VR）；当位线电压大于翻转电压（Vt）时，输出翻转。
6.根据权利要求3所述的存储器，其特征还在于：所述二极管(14)的电气特性满足条件I(VR)>>n*I(-Vt)，其中，n为所述竖直地址线(4a)上所有MTP存储元的数目。
7.根据权利要求1所述的存储器，其特征还在于：所述多个MTP存储元(1aa-1ha)构成一竖直存储串(1A)。
8.根据权利要求7所述的存储器，其特征还在于：所述竖直存储串(1A)与一纵向晶体管(7a)电耦合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
