[发明专利]一种高频微波陶瓷电容器介质材料及其制备方法

说明书

一种高频微波陶瓷电容器介质材料及其制备方法，一种高频微波陶瓷电容器介质材料，按重量份包括以下原料：BaO‑Re₂O₃‑TiO₂复合材料80.5‑95份、A和B的氧化物的复合材料5‑19.5份，其中，元素Re为稀土元素La、Pr、Nd、Sm、Eu中的一种或几种，元素A为Zn、Ni中的一种或两种，元素B为元素V、Nb、Ta、W中的一种或几种，本发明的陶瓷电容器介质材料采用传统固相法工艺即可制备，生产工艺简单，由其制备的电容器具有中高介电常数、超低介质损耗、超高耐压强度、超高绝缘电阻、高温高频稳定且可调，可适用于高频方面的应用。

技术领域

本发明属于功能陶瓷材料技术领域，特别涉及一种高频微波陶瓷电容器介质材料及其制备方法。

背景技术

随着移动通信、卫星通信、军用雷达等现代通信技术日新月异的发展和日益普及，多层固定电容器作为各种电子信息设备必备的被动电子元器件不断的向微型化、高可靠、高频化、集成化等方向发展。为此，研制中高介电常数、超低介电损耗、高温稳定(接近零的电容温度系数)和高频稳定(接近零的谐振频率温度系数)的高频微波陶瓷电容器已成为世界各国的研究热点。

对于开发介电常数在60左右、介质损耗小于3×10^-4、接近零的电容温度系数、接近零的谐振频率温度系数和具有高耐压强度高绝缘电阻的介质材料较少，如中国专利申请号为201310452073.X公开的一种以ZNT(Zn_2.5Nb₅Zr_0.1Ti_4.9O₂₅)为主，以BRT(Ba₄Sm_28/3Ti₁₈O₅₄)为辅的复合微波介质陶瓷，其介电常数在60-75之间，Q×f＞8000GHz,介质损耗低，接近零的谐振频率温度系数，但是该材料的主复合材料ZNT由ZnO、Nb₂O₅、ZrO₂、TiO₂等多种氧化物复合而成，容易产生其他晶相，致使整个复合微波介质陶瓷材料体系的晶体结构不一致，从而导致材料不能获得超低介质损耗且耐压强度和绝缘电阻较低，最终影响高频微波电容器的整体可靠性。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术的缺点，提供一种中介电常数、具有高Q×f值、高温高频稳定性、超低介电损耗、高耐压强度及高绝缘电阻的高频微波陶瓷电容器介质材料，另一目的是提供一种上述电容器介质材料的制备方法。

本发明采用如下的技术方案：

一种高频微波陶瓷电容器介质材料，按重量份包括以下原料：BaO-Re₂O₃-TiO₂复合材料80.5-95份、A和B的氧化物的复合材料5-19.5份，其中，元素Re为稀土元素La、Pr、Nd、Sm、Eu中的一种或几种，元素A为Zn、Ni中的一种或两种，元素B为元素V、Nb、Ta、W中的一种或几种。

进一步的，所述的BaO-Re₂O₃-TiO₂复合材料的化学式为:xBaO-yRe₂O₃-zTiO₂,其中，13≤x≤25,13≤y≤25,60≤z≤80，且x+y+z＝100。

进一步的，所述的A和B的氧化物的复合材料中，元素A和元素B的原子比为1：3。

一种高频微波陶瓷电容器介质材料的制备方法，包括以下步骤：

(1)、合成BaO-Re₂O₃-TiO₂复合材料；

(2)、合成合成A和B的氧化物的复合材料；