[发明专利]一种化学气相沉积工艺有效
| 申请号： | 201810023526.X | 申请日： | 2018-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN108048819B | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 胡广严;吴龙江;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/52 |
| 代理公司： | 上海领洋专利代理事务所(普通合伙) 31292 | 代理人： | 吴靖靓 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 化学 沉积 工艺 | ||
1.一种化学气相沉积工艺，其特征在于，包括：
确定进行CVD反应时反应腔的设定压力；
将气体排放管路上设置的排气阀打开至第一角度，所述第一角度为进行CVD工艺时排气阀打开的第二角度的10％～90％；
在CVD反应腔内通入反应气体，至反应腔的压力达到设定压力；
调整所述排气阀打开的角度至第二角度，所述第二角度可使反应腔内气体压力保持在设定压力；
进行CVD工艺。
2.如权利要求1所述的化学气相沉积工艺，其特征在于，所述第一角度为进行CVD工艺时排气阀打开的第二角度的20％～60％。
3.如权利要求2所述的化学气相沉积工艺，其特征在于，所述第一角度为进行CVD工艺时排气阀打开的第二角度的30％～40％。
4.如权利要求1所述的化学气相沉积工艺，其特征在于，所述第二角度为排气阀最大打开角度的13％～60％。
5.如权利要求4所述的化学气相沉积工艺，其特征在于，所述排气阀的最大打开角度为89°。
6.如权利要求1所述的化学气相沉积工艺，其特征在于，所述第二角度在进行CVD工艺时根据反应腔内反应气体流量，反应产物的变化即时调整。
7.如权利要求1所述的化学气相沉积工艺，其特征在于，所述排气阀为蝶阀。
8.如权利要求1所述的化学气相沉积工艺，其特征在于，所述的CVD工艺为常压化学气相沉积、低压化学气相沉积、等离子体增强化学气象沉积或者高密度等离子体化学气相沉积。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
